AVR内部EEPROM读写实验_技术

片内EEPROM读写实险。
1、用内部EEPROM记录CPU启动次数，并在PB口上显示出来。
2、内部1 M晶振，程序采用单任务方式，软件延时。
3、进行此实验请插上JP1的所有8个短路块，JP7(LED_EN)短路块。
4、通过此实验，可以对对内部EEPROM有个初步认识，了解EEPROM函数的 *** 作。
5、可过复位键让系统重启，这样就可以更新显示了。

*/
#include "iom16v.h"
/*延时函数*/
void delay_ms(unsigned char i) {
unsigned char a, b;
for (a = 1; a < i; a++) {
for (b = 1; b; b++) {
   ;
   }
}
}
/*EEPROM读取函数*/
/*addr：地址；number：长度；p_buff：读出数据存放指针*/
void eprom_read(unsigned int addr, unsigned char number, unsigned char *p_buff) {
while(EECR & (1 << EEWE));
EEARH = 0x00;

while(number --) {
EEARL = addr ++;
EECR |= (1 << EERE);
*p_buff++ = EEDR;
}
}
/*EEPROM写入函数*/
/*addr：地址；number：长度；p_buff：写入数据存放指针*/
void eprom_write(unsigned int addr, unsigned char number, unsigned char *p_buff) {
EEARH = 0x00;

while(number --) {
while(EECR & (1 << EEWE));
EEARL = addr ++;
EEDR = *p_buff ++;
EECR |= (1 << EEMWE);
EECR |= (1 << EEWE);
}
}
/*主函数*/
void main(void) {
unsigned char temp;
DDRA = 0x00;    /*方向输入*/
PORTA = 0xFF;    /*打开上拉*/
DDRB = 0xFF;    /*方向输出*/
PORTB = 0xFF;    /*电平设置*/
DDRC = 0x00;
PORTC = 0xFF;
DDRD = 0x00;
PORTD = 0xFF;
delay_ms(250);    /*启动延时*/
eprom_read(0x10, 0x01, &temp); /*读出记录*/
PORTB = ~temp;    /*显示记录*/
temp ++;    /*刷新记录*/
eprom_write(0x10, 0x01, &temp); /*写入记录*/

while (1) {
;
}
}

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原文地址: https://outofmemory.cn/dianzi/2450874.html

AVR内部EEPROM读写实验

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