功率MOSFET并联均流问题研究

功率MOSFET并联均流问题研究

对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。

关键词：功率MOSFETS；多管并联；高频；Q轨迹