最小导通电阻！瑞萨发售封装为2mm见方的功率MOSFET

　　瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中，实现了业界最高水平的低导通电阻”。它们分别是耐压（VDSS）为＋20V的n通道产品“μPA2600”，以及耐压为＋30V的n通道产品“μPA2601”。这两款产品的特点是导通电阻小，μPA2600的导通电阻为9.3mΩ，μPA2601的导通电阻为13.6mΩ（都是栅源间电压为＋4.5V时的标称值）。新产品主要用于便携式电子产品的负荷开关、充放电控制、RF功率放大器的开关控制以及过电流保护开关等。

　　μPA2600的栅源间电压为±12V，漏电流为7.0A，栅源间电压为＋2.5V时的导通电阻为12mΩ（标称值）。μPA2601的栅源间电压为±20V，漏电流为7.0A，栅源间电压为＋10V时的导通电阻为10.5mΩ（标称值）。

　　此次推出的其他的产品为：两款p通道产品、两款双p通道产品、一款双n通道产品，以及一款将n通道和p通道集成在一个封装中的产品。其中，p通道产品“μPA2630”的耐压为－12V，“μPA2631”的耐压为－20V。导通电阻方面，μPA2630为22mΩ，μPA2631为27mΩ（都是栅源间电压为＋4.5V时的标称值）。

　　此次的八款产品均已从2012年4月开始样品供货。样品价格为30日元。