英特尔先进封装技术为芯片产品架构开启全新维度

在本周于旧金山举办的SEMICON West大会上，英特尔的工程技术专家们介绍了英特尔先进封装技术的最新信息，并推出了一系列全新基础工具，包括将EMIB和Foveros技术相结合的创新应用，以及全新的全方位互连（ODI, Omni-DirecTIonal Interconnect）技术。英特尔的全新封装技术将与其世界级制程工艺相结合，助力客户释放创新力，走向计算新时代。



芯片封装在电子供应链中看似不起眼，却一直发挥关键作用。作为处理器和主板之间的物理接口，封装为芯片的电信号和电源提供了一个着陆区。随着电子行业正在迈向以数据为中心的时代，先进封装将比过去发挥更重大的作用。

封装不仅仅是制造过程的最后一步，它正在成为产品创新的催化剂。先进的封装技术能够集成多种制程工艺的计算引擎，实现类似于单晶片的性能，但其平台范围远远超过单晶片集成的晶片尺寸限制。这些技术将大大提高产品级性能和功效，缩小面积，同时对系统架构进行全面改造。

作为先进封装技术的领导者，英特尔能够同时提供2D和3D封装技术。在SEMICON West大会上，英特尔分享了三项全新技术，将为芯片产品架构开启一个全新维度。

• Co-EMIB：英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）2D封装 和 Foveros 3D封装技术利用高密度的互连技术，实现高带宽、低功耗，并实现相当有竞争力的I/O密度。而英特尔的全新Co-EMIB技术能将更高的计算性能和能力连接起来。Co-EMIB能够让两个或多个Foveros元件互连，基本达到单晶片性能。设计师们还能够以非常高的带宽和非常低的功耗连接模拟器、内存和其他模块。
• ODI：英特尔的全新全方位互连技术（ODI）为封装中小芯片之间的全方位互连通信提供了更大的灵活性。顶部芯片可以像EMIB技术下一样与其他小芯片进行水平通信，同时还可以像Foveros技术下一样，通过硅通孔（TSV）与下面的底部裸片进行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电，这种大通孔比传统的硅通孔大得多，其电阻更低，因而可提供更稳定的电力传输，同时通过堆叠实现更高带宽和更低时延。同时，这种方法减少了基底晶片中所需的硅通孔数量，为有源晶体管释放了更多的面积，并优化了裸片的尺寸。
• MDIO：基于其高级接口总线（AIB）物理层互连技术，英特尔发布了一项名为MDIO的全新裸片间接口技术。MDIO技术支持对小芯片IP模块库的模块化系统设计，能够提供更高能效，实现AIB技术两倍以上的响应速度和带宽密度。

这些全新技术共同扩充了英特尔强大的工具箱。它们将与英特尔的制程技术相结合，成为芯片架构师的创意调色板，让他们能够自由设计出创新产品。