Soitec收购EpiGaN nv，氮化镓（GaN）材料加入优化衬底产品组合

　　Soitec宣布收购EpiGaN nv，增强其优化衬底产品组合氮化镓（GaN）材料优势，此次收购将加速Soitec在高速增长的5G、电源和传感器市场的渗透率。

　　中国北京，2019年5月16日——作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司宣布，已与欧洲领先的氮化镓（以下简称GaN）外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议，以3，000万欧元现金收购EpiGaN公司。同时，这一协议还将根据盈利能力支付计划支付额外的奖金。 EpiGaN的GaN产品主要用于RF（射频）、5G、电子元器件和传感器应用。预计未来五年内，GaN技术的市场应用规模将达到每年50万至一百万个晶圆。

　　Soitec首席执行官Paul Boudre表示：“目前，GaN技术在射频和功率市场中的应用备受瞩目。GaN 外延硅片材料与Soitec目前的优化衬底产品系列将形成战略上的天作之合。收购EpiGaN进一步扩展并补充了Soitec的硅产品组合，为射频、5G和功率系统创造了新的工艺解决方案，为用户增效。”

　　在移动领域，实现性能、低功耗和成本的共同优化至关重要。与4G相比，5G 低于6GHz频段和毫米波的到来正在推动新一代基站的发展，它需要更高能效、更高性能、更小、更有经济效益的功率放大器（PA）。更小、更轻、更高效和更具成本效益是当今基站设计的趋势，Soitec将扩展其应用于PA的产品组合，并以GaN产品领衔这一趋势。

　　EpiGaN联合创始人兼首席执行官Marianne Germain博士表示，“多年来，EpiGaN在GaN技术领域备受行业认可，目前研制出并优化了一种可投入使用的技术，应用于5G宽带网络应用。我们的技术为Soitec的客户创造了绝佳的机会，可以针对新兴高增长市场快速开发产品解决方案，例如射频设备、高效电源开关设备和传感器设备。”

　　EpiGaN总监兼基石投资公司LRM代表Katleen Vandersmissen则表示：“EpiGaN开发的GaN技术开启了许多未来机遇。我们相信作为EpiGaN的卓越合作伙伴，Soitec将充分挖掘EpiGaN的市场发展潜力。”

　　此外，鉴于GaN在功率晶体管设计中的应用，收购EpiGaN还将为Soitec现有的Power-SOI产品创造新的增长空间。Power-SOI和GaN均可满足智能化、节能化和高可靠的集成电路设备对于综合高压和模拟功能的要求，以便广泛应用于消费电子、数据中心、汽车和工业市场。EpiGaN将被整合成为Soitec的一个业务部门。

　　日程

　　Soitec将于2019年6月13日在巴黎举行资本市场日。

　　关于EpiGaN

　　EpiGaN成立于2010年，位于比利时东部哈瑟尔特市，是微电子产学研中心IMEC的衍生公司，是欧洲领先的氮化镓（GaN）技术解决方案供应商。EpiGaN的技术广泛应用于5G基础设施、物联网（IoT）和智能传感器系统的电源，是电力供应、电动汽车、无线充电和其他射频电源系统设备创新的关键推动者。该公司在过去3年内两次入选享有盛誉的全球清洁技术百强企业名单。2011年，LRM，Capricorn清洁技术基金和罗伯特博世创业资本有限公司投资了该公司，A-Capital和SPFI-FPIM也在之后入资。

　　关于Soitec

　　法国 Soitec 半导体公司是设计和生产创新性半导体材料的全球领先企业，以其独特的技术和半导体领域的专长服务于电子和能源市场。Soitec 在全球拥有3000多项专利，在不断创新的基础上满足客户对高性能、低能耗、以及低成本的需求。Soitec 在欧洲、美国和亚洲设有制造工厂、研发中心和办事处。Soitec和Smart Cut为Soitec公司注册商标。