全球晶圆厂加紧FinFET布局 制胜1416nm市场利器

全球晶圆厂加紧FinFET布局 制胜1416nm市场利器,第1张

  全球晶圆代工业者正加紧展开FinFET布局。继格罗方德宣布将于2013年量产14奈米FinFET后,台湾晶圆双雄台积电与联电亦陆续公布FinFET制程发展蓝图与量产时程表,希冀藉此一新技术,提供IC设计业者效能更佳的制造方案,抢占通讯与消费性电子IC制造商机。

  鳍式电晶体(FinFET)已成为晶圆制造业者角逐未来行动通讯市场的关键利器。为进一步提升晶片效能并缩小尺寸,各家晶圆代工业者皆已挟不同的制程技术积极研发FinFET架构,预计明后年即可开花结果,并开始挹注营收贡献。

  在众家晶圆厂中,又以台积电在FinFET的研发进展最快(表1)。台积电预估2013年6月即可开始提供客户16奈米FinFET制程的晶圆光罩共乘服务 (Cybershuttle),并于明年底开始试产,后年初正式量产,抢先卡位市场商机,藉此巩固全球晶圆代工市场龙头地位。

全球晶圆厂加紧FinFET布局 制胜1416nm市场利器,全球晶圆厂加紧FinFET布局 制胜14/16nm市场利器,第2张

  研发进度超前 台积16奈米明年试产

  台积电董事长暨总执行长张忠谋指出,台积电16奈米FinFET制程量产时程可望提前,预计明年底开始试产。

  台积电董事长暨总执行长张忠谋(图1)表示,尽管全球总体经济状况不甚理想,但是受惠于行动通讯市场需求强劲,目前台积电包括65、40以及28奈米等先进制程的晶圆销售量皆持续快速增长当中。

  张忠谋进一步指出,目前20与16奈米制程技术进展已明显加快,其中,20奈米已有约十五个客户正进行投片(Tapeout)测试;16奈米研发时程则比先前预期更快,推出时间表将会比过往的制程更早,预估明年底试产,后年初即可开始放量。

  另一方面,台积电已于日前耗资新台币32亿元标得竹南科学园区“园区事业专用区”两笔土地,此用地未来将兴建该公司18寸晶圆厂,并从事7奈米先进制程的研发,预计2016年开始动工兴建,2017年相关研发设备将陆续进驻该厂。

  台积电今年资本支出约为85亿美元,且新竹科学园区的Fab 12第六期厂房已开始装机,有利20奈米明年初如期量产。张忠谋强调,明年台积电的资本支出仍会持续增加,以扩增在先进制程上的实力。

  事实上,台积电今年第三季营收已再创佳绩,其中先进制程的产品线贡献最大。台积电财务长暨资深副总经理何丽梅表示,28奈米制程出货量较前一季多出一倍以上,占公司第三季晶圆销售的13%;40奈米的营收占全季晶圆销售的27%;而65奈米制程技术的营收则占全季晶圆销售的22%。总体而言,上述先进制程的晶圆销售达到全季晶圆销售金额62%。

  然而,对于今年第四季与明年初的景气展望,台积电仍是审慎以待。张忠谋认为,半导体供应链将在第四季开始进行存货调整,因而影响晶圆制造需求,因此第四季与明年首度的成长幅度将向下微幅修正,但明年第二季后即可望恢复正常。

  另一方面,联电的14奈米FinFET制程技术亦将于2014年初开始试产,预计效能可较现今28奈米制程提升35?40%,可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势,扩大抢攻通讯与消费性电子IC制造商机。

  导入FinFET制程技术 联电14奈米后年亮相

  联电副董事长孙世伟表示,14奈米FinFET制程技术将会是联电切入未来次世代通讯运算市场的最佳利器。

  联电副董事长孙世伟(图2)表示,由于晶圆从28跨入20奈米制程以下的微缩过程中,势必得使用双重曝光(Double Patterning)微影技术才能实现,而此一技术无论是微影机台或者人力研发等成本都相当高昂,因此造成许多出货量不大的IC设计商不愿意投资大笔资金导入,间接使20奈米市场需求无法扩大。

  具备低功耗特性的FinFET制程技术,尽管仍无法省去双重曝光微影技术的成本,但却能大幅提升单位面积内电晶体的整体效能,降低IC设计商因双重曝光微影技术所带来的成本冲击,因此遂成为各家晶圆代工业者争相竞逐的技术。

  孙世伟进一步指出,在IBM FinFET技术授权的基础下,联电将跳过20奈米制程,直接跨入14奈米FinFET制程技术,藉此为通讯与行动运算领域客户提供更具效能优势的解决方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研发中,预计2014年初可完成验证,并旋即进行试产。

  然而,相较于台积电与格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)均表示将于2014年初量产16/14奈米FinFET,联电量产时程显然稍慢,如何后发先至遂成为业界关注焦点。孙世伟强调,尽管联电在此一制程上的研发起步较晚,但相对FinFET制程所需的机台制造技术亦较为成熟,且设备价格也较为便宜,再加上与IBM技术交流等助益,未来量产品质与时程都将可较竞争对手更符合客户需求。

  另一方面,联电28奈米产品线则可望于年底量产,并于明年第一季开始贡献营收。孙世伟补充,首波28奈米PorTIng产品在经过几个月元件及制程参数调整后,良率已获得显著提升,且公司亦于第三季成功投片使用28奈米后闸极 (Gate-last)高介电质金属闸极(HKMG)制程的行动通讯产品,并陆续与客户密切合作中。

  对于各大晶圆厂皆预期第四季与明年初营收成长将趋缓,孙世伟表示,现今晶圆代工制造正处在库存调整及景气循环周期中,联电预估此波库存调整将持续至明年初,景气回温的脉动将取决于明年总体经济、终端产品市场需求与新产品交替力道强弱;而该公司未来将持续扩大客户层面,改善产品组合,并进一步提升产能调配的d性来降低周期性波动所带来的冲击。

  尽管全球半导体产业开始进入库存调整阶段,但台湾IC制造产业仍可望在晶圆制造业者的带领下逆势成长,并在2013年达5.1%的成长率。尤其是未来台积电若顺利接下苹果(Apple)A7处理器订单后,更将有机会大幅带动整体IC制造产业成长率向上攻顶。

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: https://outofmemory.cn/dianzi/2621838.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-10
下一篇 2022-08-10

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存