联发科Q4首推LTE方案 20nm产品有望明年问世

联发科Q4首推LTE方案 20nm产品有望明年问世,第1张

  手机芯片大厂联发科(2454)1日召开法说,并释出关于Q4营收季减幅度将压缩在5%内,且智能手机芯片Q4出货持平Q3、逾6500万套水准的乐观展望。关于几项新产品的规划,总经理谢清江表示,联发科将于今年底推首款LTE解决方案(包括AP+MODEM,预计将有四核及八核),且范围涵盖 WCDMA、TD SCDMA等多种规格,预计明年上半年客户将陆续量产。至于LTE系统单芯片(SoC),则预计明年中推出。他也透露,明年联发科即有产品采用20纳米量产,等于间接印证,台积电(2330)的20纳米已吃到联发科订单。

  谢清江指出,联发科初步推出的LTE解决方案,将先推AP+MODEM的版本,SoC产品预计明年中才会推出。他指出,客户考量的无非就是价钱和产品到位与否的问题,因此他相信,即使联发科卖的是AP+MODEM的版本,也可以有市场竞争力。

  他也强调,固然SoC有技术难度,不过联发科做SoC有不错经验,因此明年底就可见到客户采用联发科LTE系统单芯片的产品在市面上出现,而这也应是合理的预估。

  关于目前LTE市况与成长性,谢清江认为,针对明年中移动喊出将采购4千万支LTE手机的数字,因其在取得LTE执照过程中所展现的绝佳执行力,他对这个数量是乐观其成的,也期待所采购机种能更往高阶方向走。不过由于明年是中国LTE市场开展的第一年,因此状况还要观察,而联发科在LTE解决方案的推展进度也还要努力提升。

  此外,值得注意的是,联发科强推的真八核芯片MT6592,则预计于今年Q4季底量产,系采28纳米HPM制程,为全球首款八核芯片。对此谢清江表示,该产品之所以采28纳米HPM制程量产,主要是无线通讯数据机和高阶AP可进行更理想整合,而往先进制程转移,绝对会是联发科要进行的方向。他也透露,明年联发科就会有产品采用20纳米量产,甚至下一世代的16纳米FinFET制程,联发科也在规划中。

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: https://outofmemory.cn/dianzi/2636488.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-11
下一篇 2022-08-11

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存