芯片巨头技术升级 三星投产二代10nm技术

　　据外媒报道，三星本周宣布，将定于今年晚些时候投产第二代10nm芯片生产工艺。目前，三星已经在美国硅谷开始向多个半导体公司推广自家的14nm工艺。与此同时，三星在内存DRAM颗粒上也全球率先完成了10nm级的布局，同时本月还将量产18nm工艺产品。

　　报道称，所谓的第二代10nm工艺，有媒体认为是14nm FinFET+。其实目前，14nm FinFET+已经导入了骁龙820、三星Exynos 8890等产品，三星希望可以争取到更多半导体客户看到新制程的优越性。

三星投产二代10nm技术（图片来自kkj）

　　而竞争对手台积电似乎步伐更快。据台湾《电子时报》报道，台积电董事长张忠谋4月20日在一封致股东报告书中称，公司计划在2017年上半年试产7nm工艺。但正式投入使用，恐怕要等到iPhone8发布了。

　　台积电联席CEO Mark Liu表示，目前有超过20家客户正在洽谈7nm工艺代工事宜，预计2017年有15家客户提交流片，计划在2018年上半年实现7nm工艺的量产。

　　目前台积电方面使用的是16nm工艺，预计2016年三、四季度会量产10nm工艺。三星也将在今年年底采用10nm工艺，目前有消息称高通骁龙830采用的就是三星10nm工艺，而今年下半年iPhone7搭载的A10芯片，也有可能用上台积电10nm工艺。

　　台积电7nm标准技术将同时用于手机和高性能计算应用两个方面，而10nm工艺主要用于手机设备。这意味着这，很多手机处理器会使用台积电10nm工艺，桌面显卡只能等到7nm出现。

　　英特尔日前则表示，公司将在2017年下半年推出10纳米CPU。不过英特尔的确面临一些严重的问题，因为CPU的制程节点缩小了，良率不高一直困扰CPU的量产。在之前的14纳米Broadwell架构上，英特尔也曾面临很大困难，结果导致桌面和移动处理器上市时间推迟了几个月。