氨分解纯化器和分解炉流量计怎么算实际气量

氨分解制氢纯化设备液氨加热至800～850℃，在镍基催化剂作用下，将氨进行分解，可以得到含75%H2、25%N2的氢氮混合气体:本装置液氨瓶送来的氨经过进氨阀进入汽化器，汽化器内装有电加热元件，电加热元件对汽化器内的水加热，一般水温控制在45-60℃，液氨在汽化器内得到温水传过来的热量。汽化成气态氨，一般汽化后的氨压力控制在0.4-0.5MPa，氨气经减压阀减压后，压力调到0.05 MPa左右。经过降压后的氨气由耐腐流量计量，从流量计流出的氨气在热交换器中进行热量交换，使氨气温度升高，由分解炉出来的高温混合气被降温，经升温后的氨气进入分解炉进行分解成氢氮混合气，高温混合气进入热交换器，水冷却器降温，然后送到使用地点。如果需要纯度较高的氢氮混合气，后面可以用FC型纯化装置进行纯化处理。本装置工艺流程，有液氨瓶送来的氨经过进氨阀F1，F2进入汽化器（1），汽化器内装有电加热元件，电加热元件对汽化器内的水加热，一般水温控制在45-60℃，液氨在汽化器内得到温水传过来的热量。汽化成气态氨，一般汽化后的氨压力控制在0.4-0.5MPa，氨气经减压阀减压后，压力调到0.05 MPa左右。经过降压后的氨气由耐腐流量计量，从流量计流出的氨气在热交换器中进行热量交换，使氨气温度升高，由分解炉出来的高温混合气被降温，经升温后的氨气进入分解炉进行分解成氢氮混合气，高温混合气进入热交换器，水冷却器降温，然后送到使用地点。如果需要纯度较高的氢氮混合气. 复式流程，用两只吸附干燥器并联，一只工作，同时另一只可以进行再生处理。相互交替工作和再生，以保证设备连续运行。干燥器在常温下工作，在加温至350℃下冲气再生。分解后混合气体通过阀F14进入1组干燥器，利用分子筛对NH3和H2O的共吸附性可以同时吸附残氨和水份，然后气体经阀F12，由纯气出口送使用地点。取一部分纯气通过阀F20和再生流量计，再经阀F11送入2组干燥器，进行加热冲洗再生，再生废气经阀F17后，通过气水分离器放空。

半导体工厂Fab使用到的Gas主要分为2类： 大宗气体系统和特种气体系统

大宗气体系统（Bulk Gas）： 使用量较大的几种气体，有氮气（N2）、氧气（O2）、氢气（H2）、氩气（AR）、氦气（He）、压缩空气（CDA）。

一、大宗气体系统概述

Bulk Gas System主要由供气系统和管道系统组成，其中的供气系统包含气源、纯化、品质监测等几部分，一般气源设置在独立于生产厂房之外的气站（Gas Yard），而气体的纯化一般设置在生产厂房内专门的纯化间（Purifier Room），这样的目的是可以保证高纯度的气体输送距离减少，既可以保证气体品质，而且可以节约成本。一般高纯度输送气体的管道采用SUS 316L EP级管道。经过纯化的高纯气体从纯化间输送到辅道生产层（Sub Fab）或生产车间的架空地板下，形成配管网络，最后由二次配管系统（Hook up）送至各生产装备。

其中氮气在整个Fab生产制造中使用量最大，根据使用点品质要求不同，又区分为普通氮气（GN2）和工艺纯化氮气（PN2）

N2供应系统示意图

二、大宗气体供气系统

2.1 气体站

2.1.1 首先必须根据工厂所需用气量的情况，选择最合理和经济的供气方式。

概述中已说明使用量最大的是氮气，根据其用量的不同，可考虑采用以下几种方式供气：

1）液氮储罐，用槽车定期进行充灌，高压的液态气体经蒸发器（Vaporizer）蒸发为气态后，供工厂使用。一般的半导体工厂用气量适中时这种方式较为合适，这也是目前采用最多的一种方式。

汽化器Vaporizer

2）采用空分装置现场制氮。这适用于N2用量很大的场合。集成电路芯片制造厂多采用此方式供气，而且还同时设置液氮储罐作备用。

3）氧气和氩气往往采用超低温液氧储罐配以蒸发器的方式供应。

氧气和氩气供应示意图

4）氢气则以气态方式供应，一般采用钢瓶组（Bundle）即可满足生产要求。如用气量较大，则可采用Tube Trailer供气，只是由于道路消防安全审批等因素，目前在国内还很少采用此方式。相信随着我国微电子工业的飞速发展，相关的安全法规会更完善，Tube Trailer供气方式会被更多地采用。如果氢气用量相当大，则需要现场制氢，如采用水电解装置。

氢气和氦气供应示意图

5）氦气以气态方式供应，一般采用钢瓶组（Bundle）即可满足生产要求。如用气量较大，则可采用Tube Trailer/ISO槽车供气。

6）压缩空气主要通过Gas Yard内压缩机产气，干燥机吸附后得到干燥洁净的压缩空气，简称CDA。CDA一般在所有的行业均有使用，半导体Fab使用的压力相对一般行业稍高，常见在8.5bar以上。

在整个气体站，需要特别注意几个问题：

首先,供氢系统和供氧系统的安全性问题是必须予以高度重视的,如气体站的平面布置必须符合国家和行业相关安全规范。

其次，在设计供气压力时不仅要参照最终用户点的压力需求，而且必须考虑纯化器、过滤器以及配管系统的压力降。

2.2气体纯化与过滤

2.2.1气体的品质要求

目前对大宗气体的纯度要求往往达到ppb级，生产工艺线对大宗气体的品质要求较高。

因此，必须用不锈钢管道将大宗气体从气体站送至生产厂房的纯化室（purifier Room）进行纯化，气体经纯化器除去其中的杂质，再经过滤器除去其中的颗粒（Particle）。出于安全考虑，一般将氢气纯化室设计为单独一室，并有防爆、泄爆要求。

2.2.2 纯化器

目前国内采用的气体纯化器都是进口的，主要的生产厂家有SAES、Taiyo、Toyo、JPC、ATTO等。纯化器根据其作用原理的不同可以对不同的气体进行纯化。

一般说来，N2、O2纯化器较多采用触媒吸附式，Ar、H2、He纯化器则以Getter效果最佳，H2纯化器也多采用触媒吸附结合Getter式。

CDA常用加热吸附式干燥机来干燥压缩空气。吸附式干燥机是利用吸附剂（活性氧化铝、硅胶、分子筛）吸附水分的特性来降低压缩空气中水分的含量，一般来说可以使出口气的露点达到-40度以上。

在设计中要注意的是，不同气体纯化器需要不同的公用工程与之相配套。例如，触媒吸附式N2纯化器需要高纯氢气供再生之用；触媒吸附式纯化器需要冷却水。因此，相关的公用工程管线必须在气体纯化间内留有接口。

CDA干燥机后端室内管道需要注意结露问题，很多在设计时未能完全考虑，后期运营时部分管道结露严重，特别是靠近墙面处的管道，对墙面造成一定的影响。

2.3 气体的品质监测

大宗气体在经纯化及过滤后应对其进行品质监测，观察其纯度与颗粒度的指标是否已高于实际的工艺要求。目前着重对气体中的氧含量、水含量和颗粒度进行在线连续监测，而对CO、CO2及THC杂质采用间歇监测，有条件的Fab也会连续监测。测试结果连同其他测试参数（诸如压力、流量等）都会被送往控制室中的SCADA（Supervisory Control and Date Acquisition）系统。同时也可以将数据共享给必要的单位或组织。

2.4 供气系统的可靠性问题

由于微电子行业的投入与产出都是非常的大，任何供气中断都会带来巨大的经济损失。因此在设计中必须充分考虑气体供应系统运行的安全可靠性。若采用现场制气方式，往往还需要设置该种气体的储蓄供气系统作备用。

每一种气体的纯化器都需要有一台作备用。防止在一台纯化器异常时及时切换到备用纯化器。保证气体供应的稳定性。

问题是LED外延片生长是吧，那就仅仅是GaN基的LED的生长。

用到的设备主要是MOCVD设备。当然还有一些辅助设备，比如尾气处理系统、超净间及排风系统、水冷系统、气站和供气系统等。

使用的原料和耗材我原来回答过，如下：

1、生产原材料累

蓝宝石衬底（图形衬底或平面衬底）、有机源（镓源、镁源、铝源等）、氨气、高纯氮、高纯氢

2、设备易损件

石墨盘（100多炉换，看工艺了）、加热系统备件（没问题的话能用年把）、尾气过滤器（常换） Veeco有些型号的设备带有小型气体纯化器，此类不能再生，也应该算耗材之一吧。

3、配套耗材

手套、无尘布、无水乙醇、尾气中和用的酸等

工艺流程是 1 将蓝宝石衬底放入MOCVD 2 高温到1050度左右退火或叫高温刻蚀 3 低温到500度左右长低温层 4 高温到1050度左右生长非掺GaN和n型GaN 5 生长量子阱 6 生长p型GaN 7 取出来就完成外延工艺了 下面就该转到芯片工艺去了。

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