光清洗技术是什么？

光清洗技术是利用有机化合物的光敏氧化作用达到去除黏附在材料表面上的有机物质，经过光清洗后的材料表面可以达到"原子清洁度"。更详尽的讲:UV光源发射波长为185nm和254nm的光波，具有很高的能量，当这些光子作用到被清洗物体表面时，由于大多数碳氢化合物对185nm波长的紫外光具有较强的吸收能力，并在吸收185nm波长的紫外光的能量后分解成离子、游离态原子、受激分子和中子，这就是所谓光敏作用。空气中的氧气分子在吸收了185nm波长的紫外光后也会产生臭氧和原子氧。光盘专用灯臭氧对254nm波长的紫外光 同样具有强烈的吸收作用，臭氧又分解为原子氧和氧气。

其中原子氧是极活泼的，在它作用下，物体表面上的碳和碳氢化合物的分解物可化合成可挥发的气体:二氧化碳和水蒸气等逸出表面，从而彻底清除了黏附在物体表面上的碳和有机污染物。目前国外广泛使用的清洗方法是紫外(UV)光清洗，它一方面能避免由于使用有机溶剂造成的污染，同时能够将清洗过程缩短。而用普通石英生产的低压汞的洗净效果远远小于用合成石英制成的低压汞灯。氙灯(又称短弧氙灯)是一种具有极高高度的电光源，色温为6000K左右，光色接近太阳光，是目前气体放电灯中显色性最好的一种光源，适应于放映电影，火车车灯以及模拟日光等方面。可以做成球形、直管式、水冷式氙灯。紫外线准分子放电灯是利用在紫外线灯管外的高压、高频对灯管内的稀有气体进行轰击发出单一的172nm紫外线，光子能量达696KJ/mol，高于绝大多数有机分子键能。

有啊，比如清洗半导体硅片。随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场的需求比例将日益加大。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。最新尖端技术的导入，使SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资，针对设计规则的进一步微细化。利用超声波清洗技术，在清洗过程中超声波频率在合理的范围内往复扫动，带动清洗液形成细微回流，使工件污垢在被超声剥离的同时迅速带离工件表面，提高清洗效率。

超声波清洗方法及其放置方向

将被洗研磨硅片水平状放置在清洗槽底部上方栅栏状的石英棒框架上，在确保清洗槽内具有去离子水高度并不断流动的条件下，利用设在清洗槽底部的超声波振子进行清洗，超声波频率为40KHz，每5分钟将研磨硅片翻一个面，连续超洗至被超洗的研磨硅片表面没有黑色污染物冒出止。超声波清洗单晶硅片装置清洗槽的槽壁上设有进水口和出水口，槽底部下方设有超声波振子，清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。

具体实施时，石英棒距离清洗槽的底壁为15厘米。清洗时，单晶硅片可以平置在石英棒上，将现有的竖超洗改成平超洗，消除了单晶硅片在竖超洗状态下，污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净，以及承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象，具有结构更简单、用水量大大减少的优点。

电子清洗技术（包括清洗剂和与之配套的清洗工艺）对电子工业，特别是对半导体工业生产是极为重要的。在半导体器件和集成电路的制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗，而且集成电路的集成度愈高，制造工序愈多，所需的清洗工序也愈多。在诸多的清洗工序中，只要其中有一道工序达不到要求，则将前功尽弃，导致整批芯片的报废。可以说如果没有有效的清洗技术，便没有今日的半导体器件、集成电路和超大规模集成电路的发展。其实这个环节是蛮重要和需要

探索技巧的，做半导体行业工作的都需要很大的耐心和细心，才能出色的完成这项工作的，现在半导体行业发展的很迅速，集成电路的集成密度越来越高，相应的清洗技术也随之复杂起来，其实这方面也有很大的发展前途的，我曾经有位同事，从基层的技术员升职到工程师助理，最后自己又升到了工程师的位置，如果楼主要考职称的话，可以先咨询一下设备工程师和制程工程师，一般制程工程师的工资会高一点。