7nm!国内半导体关键材料再获突破!芯片光刻胶已验收

7nm!国内半导体关键材料再获突破!芯片光刻胶已验收,第1张

近日,南大光电发布公告称,其承担的国家02专项ArF光刻胶项目取得重大进展,并且通过了专家组验收。目前已建成年产25吨的ArF光刻胶产业基地,可用于90nm-14nm,甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。

众所周知,光刻胶是芯片制造不可或缺的重要原料,是光刻机进行硅膜片曝光、设计图案印章的核心材料。ArF 光刻胶材料主要应用于高端芯片制造,目前我国在ArF、KrF光刻胶领域中的市场占比较少,全球大多数的光刻胶市场都被美国、日本垄断。

对于国产半导体行业来说,南大光电7纳米光刻胶的交付,具有十分重要的意义,一方面能够缓解我们在半导体领域中,特别是芯片代工领域中,被芯片原料卡脖子的难题;另一方面有助于加快我们在芯片代工领域中实现自给化目标的脚步。

需要注意的是,有关 7 纳米 ArF 光刻胶的应用,南大光电目前只是小规模投产,与之相关的生产线正在构建当中。在公告中,南大光电也表示,ArF 光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险,不仅需要技术攻关,还需要在应用中进行工艺的改进、完善。

但不管怎么说,这次南大光电完成7纳米光刻胶的验证,对于自身,对于国产半导体行业来说是一件好事情。至少可以保证我们不会在光刻胶领域中被国外彻底卡住,相信只要坚持下去,假以时日,一切难题都会迎刃而解。

一纸芯片禁令使我们意识到芯片的重要性,随着华为事件的不断发酵,大型公司开始创建芯片,在国家的支持下,许多公司取得了突破,它还设定了到2025年实现芯片自给率超过70%的目标,可以说,当时中国只有一个目标,那就是创建我们自己的芯片,尽管制作芯片的困难难以想象,但我们那时再也无法控制太多了,因为芯片已成为所有中国人的痛点,所以制作属于中国人的芯片是最重要的此刻的事情,急事,由于我们对芯片的需求非常紧迫,为什么我们不早做芯片,如果能够更早地制造它,那么我相信我们现在将不会经历这种无芯的痛苦,为什么不早发展,实际上,我们的国家完全没有参与,早在1965年,我国就开发了第一个国内产品芯片,那时,还没有ASML这样的巨人,甚至在半导体领域具有优势的日本也刚刚进入这一领域,值得一提的是,那时我们不仅独立开发芯片,而且还自行构建光刻机。

当时,中国科学院生产了65型接触式光刻机,在接下来的20年中,我们在芯片领域中一直遥遥领先,至少直到1980年,我们在芯片领域的技术水平才处于世界前列,但是,在1980年代,由于某些原因在自主研发问题上存在分歧,并且当时停止了许多研发项目,从那时起,购买更好的想法开始流行,另外,当时,许多外国芯片以良好的性能和低廉的价格进入该国,因此大多数公司会选择使用进口的芯片,这样,我们积累了20年的光刻机技术,这相当于浪费钱,场地,从那时起,在光刻机领域,我们进入了空白状态,2002年,上海微电子成立后,我们再次涉足光刻机领域。

1990年,我国启动了908项目,在这个项目中,我们已经投资了将近20亿美元,但我们别无选择,只能在建成时遇到落后的现实,而且我们在一开始就遇到了棘手的危机,这使我们在这一领域逐渐滞后,这种情况直到2000年才开始好转,中芯国际这样的公司出现在中国,这给国内芯片带来了一点希望,前景如何,那么在这种情况下,中国半导体领域将如何发展,实际上,从个人角度来看,国内的发展前景仍然非常好,至少到目前为止,可以肯定的是我们在这一领域还不是完全空白,2014年,国家集成电路产业发展推进刚要正式发布,发布此大纲意味着我们将重新确定发展集成电路产业的决心,但是,值得一提的是,我们目前的情况不是很好,随着外国公司的不断加速,我们在半导体领域的发展已经落伍了,但是好消息是,目前芯片的发展即将突破摩尔定律的极限。

这实际上对国内半导体的发展是一件好事,所谓的摩尔定律是指集成电路上的晶体管数量每18-24个月翻一番,现在,世界上最先进的芯片工艺已开发到5nm,目前正在开发3nm,但是速度越来越慢,例如,拥有世界上最先进技术优势的台积电,从28nm到14nm已经使用了十多年,随着芯片的发展无限接近摩尔定律,未来芯片流程的发展肯定会变得更加缓慢,这对我们来说是个好消息,因为当芯片达到摩尔定律时,芯片的发展将不可避免地陷入停滞状态,这使我们有时间进行追赶,目前,国产芯片已达到7nm并由中芯国际掌握,从28nm到7nm,百度的昆仑二号和阿里平头哥的独角兽也已上市,所有这一切无疑是不可能的,这并不能证明我们即将迎来芯片发展的大趋势,我相信,在大公司的不懈努力下,我们将能够在芯片领域创造更加辉煌的时刻。


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