中国半导体何时能突破重围

未来可期。国内半导体企业的整体实力还是不错的，目前对于芯片制造过程中最主要的设备光刻机，上海微电子已经取得了突破，首台国产的28nm沉浸式光刻机机也即将迎来组装下线，中微半导体在刻蚀机领域也取得了重大成就，外加上此次中电科突破的离子注入机技术，国产自主产业链也得到了进一步的完善。

制造出属于自己的中国芯，估计再过20年吧。中芯国际最早在2035年才能追平台积电，让中国就有了自己的3纳米以下芯片，和美国、韩国以及中国台湾也有的并非自己的3纳米以下芯片同为全球顶级，中国不再只有7、5纳米这样的属于自己的芯片；至少再过5年才能超越台积电，独自登顶全球芯片制造，让中国独有了属于自己的1纳米以下芯片。

这样估计，是不是乐观了？只要中国半导体行业坚定不移地推动国内芯片企业自立自强，绝不满足于搞定14纳米以及28纳米“全国产”之后能生产80%以上的芯片，绝不干等着美国及其盟国盟友回心转意，包括把中芯国际移除实体清单、让阿斯麦向中芯国际出售EUV光刻机，就有望在不到20年的时间里先追平、再超越，创造出一国有了自己的先进和领先高端芯片这样的奇迹，全球芯片制造有史以来的第一例，大不了用20以上的时间！

中芯国际超越台积电就是中国半导体行业超越“美国及其盟国盟友半导体行业”。也就是一国的芯片技术链产业链供应链领先于全球，关键是整体自主、全面可控，设计出的、制造出的、封装好的全球顶级芯片都是中国自己的，连设计所依托的全球顶级芯片架构和EDA软件都是中国自己的，芯片制造所依托的全球顶级光刻机以及其他工艺设备、原材料、配件等还是中国自己的。

从此，哪个环节和领域的中国芯片企业就都不会再出现被卡脖子的情况，美国及其盟国盟友根本就没有这样的机会了。当然，中国不会去卡别国包括美国及其盟国盟友的芯片企业的脖子，而是一如既往、不计前嫌地推动国内芯片企业去主动积极地提供最好的服务，其结果将是提升全球供应链的水平。

国内半导体想追上台积电，说实话很难，特别是在五到十年年之内，几乎不太可能，但是，十到十五年以后，很有可能追上。

先说原因，主要还是技术壁垒，要知道，大陆半导体基本上落后于台积电三代，现在代表大陆半导体制程的“天花板”中芯国际目前在14纳米，而台积电已经开始5纳米量产，并且已经在开发3纳米制程。最关键的是，台积电没有国外的技术限制，可以随时买到ASML最先进的EUV光刻机，而大陆半导体用的还是落后DUV光刻机，而且，制造国内光刻机的上海微电子目前能批量制造28纳米制程的技术还没有完全成熟。

因此可以说，半导体制造属于投入大，工序长，而且几乎是一环套一环，每个环节几乎都是世界最尖端的技术，把这些技术有集成起来，也需要高端的技术与时间。而在五到十年之内，我们的GDP极有可能会超过美国，但是技术的发展需要一定时间积累与大量人才的培养，这些都是不能急于求成的。因此可以说，在五到十年之内很难能追上台积电。

但是，不要悲观，为什么说十年以上就极有可能追上呢？主要还是因为以下原因：首先，就是综合国力，我国的GDP极有可能十年之内追上美国，也代表着我国的综合国力强盛，必将带动高科技及其相关产业的极大发展。其次，政策支持，高科技产业代表着一个国家最重要的实力，也必将促进国家的大量投入与政策支持，这些都是高科技发展的重要支持。

再次，市场需求，半导体及芯片进口早已超过石油成为我国第一大进口产品，也代表着国内市场需求巨大，肯定会带动大量资金会投入这个板块，也必将带动整个产业的极快发展。最后，我国制造业蓬勃发展，我国的制造业在去年已经超过西方七国的总和，这也代表着我国制造业发展的巅峰，也代表着我国需要向以半导体制造为高端制造业为主的转型升级，也正因为我国如此庞大制造业的支持，相信半导体制造业的难关也必将会被攻克。

综上所述，个人认为，大陆半导体追上台积电可能需要十年以上的时间。

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