本届论有百余位程序委员会专家提供智力支持，将全面聚焦前沿技术及行业热点，力邀国内外知名专家、领军企业、行业精英代表深度参与，把脉产业商机，共促产业 健康 有序发展。
当前，国际上第三代半导体材料、器件已实现了从研发到规模性量产的成功跨越，并进入产业化快速发展阶段，在新能源 汽车 、高速轨道交通、5G通信、光伏并网、消费类电子等多个重点领域实现了应用突破。
未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。5G、AI、物联网、大数据等市场提速，新能源 汽车 、PD快充、5G和新型显示时代的来临，应用市场对第三代半导体的需求已经开始呈现出前所未有的增长趋势。
据论坛组委会透露，面对新一轮 科技 革命与产业变革创造的 历史 性机遇，本届论坛特别邀请到中国工程院院士、清华大学电子工程系罗毅教授，中科院院士、南昌大学副校长、论坛程序委员会联合主席江风益教授，中国工程院院士、全球能源互联网研究院院长汤广福，厦门大学校长、论坛程序委员会主席张荣教授，诺贝尔物理学奖得主、美国加州大学圣塔芭芭拉分校材料系教授中村修二（ShujiNakamura），瑞典皇家理工学院教授Carl-Mikael Zetterling，博世苏州 汽车 部件总经理、博世 汽车 电子中国区总裁Georges Andary，京东方 科技 集团显示与传感器件研究院院长、半导体技术首席科学家袁广才等来自第三代半导体领域的代表性专家们与业界同仁共话第三代半导体的发展和机遇。
除了开幕大会、本届论坛设有功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、电力电子标准与检测研讨会等超30场次论坛活动。聚焦第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的国内外前沿进展；第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的产业发展战略与机遇；第三代半导体材料相关技术与新一代信息技术、新能源 汽车 、新一代通用电源、高端装备等产业的相互促进与深度融合；产业链、供应链多元化与核心技术攻关等。
国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛同时同地举办，同台汇力，相映生辉，放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。
论坛长期与IEEE合作。投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表，IEEE是EI检索系统的合作数据库。目前，论坛同期论文已开启征集，论坛长期与IEEE合作。投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表，IEEE是EI检索系统的合作数据库。
2021先进半导体技术应用创新展（CASTAS 2021）也同时招展中，欢迎业界人士的参与其中，对接资源，洽谈商机，共商产业发展大计。
日前，三星半导体博客刊发了一篇TECHnalysis Research公司总裁兼首席分析师Bob O'Donnell的文章，他提出了他对于过渡到全新Gate-All-Around晶体管结构的看法。通过重新思考和重新构建基本的晶体管设计，Bob认为技术行业可以期待几代工艺技术的改进，同时减少半导体尺寸和功率要求，以及提高半导体性能。
任何关注半导体行业的人都知道芯片性能提升的速度开始放缓。与此同时，工艺公司已经讨论了他们减少制造芯片尺寸时面临的一些挑战。虽然通常与摩尔定律的继续发展有关，但更多是伴随着半导体工艺节点尺寸的减小，影响性能的因素会持续增加。
就在几个月前，三星半导体的代工业务宣布了晶体管设计方面的一项重大新进展，称为Gate-All-Around（GAA），它有望在未来几年保持晶体管级半导体的发展。从根本上说，GAA提供了对基本晶体管设计的重新思考和重新架构，其中晶体管内部的硅通道完全被栅极材料包围，而不是像三极一样被栅极材料覆盖，就像FinFET设计一样，这种设计可以增加晶体管密度，同时增加沟道的缩放潜力。
整个 科技 行业都在期待着半导体工艺的改进，这些进步将继续降低半导体尺寸和功率，并提高半导体性能。GAA与极紫外光（EUV）光刻技术一起被认为是半导体制造领域下一个主要技术进步，这为芯片行业提供了从7nm到5nm到3nm工艺节点的清晰路径。
从技术上讲，由于GAA FET技术降低了电压，这也为半导体代工业务提供了一种超越FinFET设计的方法。随着晶体管不断缩小，电压调节已被证明是最难克服的挑战之一，但GAA采用的新设计方法减少了这个问题。 GAA晶体管的一个关键优势是能够降低电压缩放造成的功耗，同时还能提高性能。这些改进的具体时间表可能不会像行业过去那么快，但至少关于它们是否会到来的不确定性现在可能会逐渐改观。对于芯片和器件制造商而言，这些技术进步为半导体制造业的未来提供了更清晰的视角，并且应该让他们有信心推进积极的长期产品计划。
GAA的时机也是 科技 行业的偶然因素。直到最近，半导体行业的大多数进步都集中在单个芯片或单片SOC（片上系统）设计上，这些设计都基于单个工艺节点尺寸构建的硅芯片。当然，GAA将为这些类型的半导体提供重要的好处。此外，随着新的“小芯片”SOC设计的势头增加，这些设计结合了几个可以在不同工艺节点上构建的较小芯片组件，很容易被误解为晶体管级增强不会带来太多的价值。实际上，有些人可能会争辩说，随着单片SOC被分解成更小的部分，对较小的制造工艺节点的需求就会减少。然而，事实是更复杂，更细微。为了使基于芯片组的设计真正成功，业界需要改进某些芯片组件的工艺技术，并改进封装和互连，以将这些元件和所有其他芯片组件连接在一起。
重要的是要记住，最先进的小芯片组件正变得越来越复杂。这些新设计要求3mm GAA制造所能提供的晶体管密度。例如，特定的AI加速，以及日益复杂的CPU，GPU，FPGA架构需要他们能够集中处理的所有处理能力。因此，虽然我们会继续看到某些半导体元件停止在工艺节点的路线图中，并以更大的工艺尺寸稳定下来，但对关键部件的持续工艺缩减的需求仍然有增无减。
科技 行业对半导体性能改进的依赖已经变得如此重要，以至于工艺技术的潜在放缓引起了相当多的关注，甚至对可能对整个 科技 世界产生的影响产生负面影响。虽然GAA所带来的进步甚至没有使该行业完全解决了挑战，但它们足以提供行业所需的发展空间以保持其继续前进。
据businesskorea报道，代工咨询公司IBS 5月15日宣布，三星电子在 GAA技术方面领先台积电(TSMC)一年，领先英特尔(Intel)两到三年。GAA技术是下一代非存储半导体制造技术，被视为代工行业的突破者。
三星已被评估在FinFET工艺方面领先于全球最大的代工企业台积电。FinFET工艺目前是主流的非存储半导体制造工艺。
这意味着三星在当前和下一代代工技术上都领先于竞争对手。
三星于当地时间5月14日在美国Santa Clara举行的2019年三星代工论坛上宣布，将于明年完成GAA工艺开发，并于2021年开始批量生产。
任何时候，任何领域，美国都是以“美国领先”为原则。尤其在芯片领域，不管在GPU，还是在CPU方面，美国早已取得了领先的优势；在通讯领域，美国也掌握着大量通信专利。但当中国电信巨头华为的5G、芯片技术正在对美国形成反超之际，美为维护本国在 科技 领域 “领先”的优势，开始以“安全隐患”为由，对华为等中企频频出手，一系列的“禁令”，确实给华为的芯片造成了一定程度上的影响。
然而在“芯片禁令”落地之前， 华为高管徐直军就曾公开表示，美国对芯片的出口管制，必然将打开潘多拉，全球没有哪一家芯片企业能够幸免。
限制华为后，许多长期与华为合作的半导体企业，由于失去了华为这一大客户，导致半导体产品库存积压严重，比如镁光每年的营收将下滑10%左右，高通也因为失去华为将巨额芯片订单拱手让给了联发科，给别人做了嫁衣。
据消息人士透漏，因受到“禁令”的影响，美半导体产业收到的损失高达1700亿美元，合计人民币1.1万亿。也正是因为美对全球半导体产业链的干扰，外加上疫情的推波助澜，芯片供应链所带来的影响已经波及到了 汽车 行业，各大媒体频频报道，不管是大众、丰田还是福特，全球各地的 汽车 企业纷纷传来减产的消息，以便应对芯片危机。
面对如此巨大的损失，许多企业早已意识到打破全球芯片产业平衡发展的禁令，再也不能继续下去。前段时间，在一次美国举办的在线论坛会上，282家美国跨国企业“联名上奏”向美国提出了申请，希望美国的政策能减少对企业的干扰。简而言之，就是让美国企业与中国企业继续合作，让供应链回归正轨。
近日，半导体协会首席执行官Ajit Manocha也正式发声，表示应该纠正此前对中国企业的错误做法，减少供货许可的积压，同时也指出半导体协会支持振兴美国的制造业和投资研发目标。
在美国重振经济的背景下，对于华为而言，很可能将迎来转机，为什么这样说呢？
虽然美国在半导体领域一直世界领先地位，但这并不意味着想要继续生存下来就必须要用到美国的技术。就比如说光刻机，虽然ASML垄断着高端市场，但日本的佳能、尼康等光学巨头也掌握着大量光刻机制造技术；欧洲的意法半导体、英飞凌和恩智浦在半导体领域也有非常重要的分量；半导体材料方面，日本也占据了大半壁江山。
重要的是，国产半导体正在全面崛起，不管是传统的硅基芯片，还是量子芯片，其先进的技术正在与半导体商业化进行对接。如果拒绝或推迟美国企业对华为的供货许可，对以第三方产业为主的美国，对华为等企业来说，这都是损失。
关于此事，大家怎么看？
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