半导体物理与器件1-3章笔记

通常半导体材料都是单晶材料。单晶材料的电学特性——化学组成，原子排列。

半导体——元素半导体（IV四价，Si Ge），化合物半导体（V，III三价五价；IV）

单晶——空间晶格——BCC,SC,FCC晶格类型——晶格结构/晶格尺寸（晶格常数）——原子体密度（计算方法见示例）——晶面和米勒指数——最近间距，原子的面密度——Si的金刚石结构

为什么原子集合倾向于特定的晶格结构：热平衡系统的总能量趋于达到某个最小值。

原子间的相互作用可以用量子力学描述

原子价键（最外层电子）

离子键——共价键——金属键——范德华键（电偶极子）

固体中的缺陷和杂质——很大程度上影响电学性能

固有缺陷——热振动（热能——温度的函数）

点缺陷：空位缺陷，填隙缺陷，弗仑克尔缺陷（空位和填隙离得很近）

线缺陷：

杂质：替位杂质，填隙杂质

掺杂：杂质扩撒，离子注入。

《半导体器件物理》由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的工作原理和工作特性。

为便于读者自学和参考，《半导体器件物理》首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识；然后重点论述了PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系：最后简要讲述了常用的一些其他半导体器件(如功率MOSFET、IGBT和光电器件)的原理及应用。

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