从晶格匹配选择半导体材料的图怎么看

1、首先使两种晶格常数不同的材料在原子尺寸范围内达到相互近似匹配。

2、其次在晶格处于d性应变状态，两种晶格交界面附件的每个原子偏离其正常位置时实现。

3、最后当这种应变较大时即可看从晶格匹配选择半导体材料的图。

1、首先要学会根据电流和磁场判断电场力的方向，电场力的方向即半导体中载流子的受力方向。

2、看图：

释义：左图是N型半导体，右图是P型半导体。

1、拓展：

（1）什么是霍尔效应？

答：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。

（2）什么是霍尔电场EH？

答：当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场EH。

（3）霍尔系数的作用：霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。

当正向电压很低时，正向电流几乎为零，P89LPC954FBD这是因为外加电压的电场还不能克服PN结内部的内电场，内电场阻挡了多数载流子的扩散运动，此时二极管呈现高电阻值，基本上还是处于截止的状态。

二极管伏安特性曲线

二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如图5所示。

以上内容参考：百度百科-伏安特性曲线

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