根据Wind数据，2019年全球半导体晶.圆制造材料市场规模为328亿美元。预计未来5年全球半导体晶圆制造材料市场规模CAGR为5%。根据IHS统计，2018年全球平板显示掩膜版行业市场规模约为53.6亿元，CR5约为90%，前五大公司分别是SK电子、HOYA、 L .G-IT、 PKL和DNP。
1)掩膜版主要应用于微电子制造工艺中的光刻工艺，其原理类似于传统相机的底片。
掩膜版的主要作用是作为模板将掩膜版.上事先印制好的电路图案复制到芯片或显示面板玻璃上，以达到批量生产的目的。
2)半导体和显示面板为掩膜版主要下 游需求，预计2022年 掩膜版市场规模分别为346亿元和63亿元。
半导体领域，线宽工艺的提升带动单位芯片所需掩膜版的数量骤增，全球半导体产能向中国转移两个因素将带动国内半导体掩膜版行业即将进入高速发展期。显示面板领域，显示精度的提高、面板尺寸大型化发展的趋势以及显示面板产能向中国转移三大动因会拉动平板显示掩膜版行业的蓬勃发展。
3)掩膜版基板占掩膜版原材料成本90%，主要以石英基板为主，是产业链的核心瓶颈。
原材料方面，掩膜版主要以掩膜版基板和遮光膜。现在用以制作掩膜版基板的主要为石英玻璃、苏打玻璃和硼硅玻璃，其中以石英玻璃的化学性质最为稳定，在硬度、热膨胀率、透光率等方面表现皆为不俗，广泛运用于高精密产品的生产，生产工艺以熔融和合成为主。
4)下游半导体大厂积极布局掩膜版自产自用战略，美日韩占据独立制造商主要份额。
半导体掩膜版领域，福尼克斯、大日本印刷、日本凸版印刷合计占据80%以上的市场份额。显示面板掩膜版领域, 日本SK- -Electronics、日本豪雅、韩国LG-IT、福尼克斯、日本DNP合计占据90%的市场份额。
5)石英掩膜版基板领域中，高端掩膜版基材被日韩所垄断，国内起步较晚积极布局国产替代。
石英掩膜版基板领域中，高端掩膜版基材被日韩所垄断，国内起步较晚积极布局国产替代。日韩厂 商凭借多年的研发和技术优势，占据全球主要的市场份额。国内菲利华具有量产G8.5石英掩膜版基板的生产线，同时也在IC领域有所突破，通过了半导体设备国际巨头的认证。
今年以来，新船需求显著回d。1-7月，全球累计签约新船订单1014艘、7894万载重吨，按载重吨计，同
比增长183.7%，创2016年以来最
高。7月份，全球签约新船订单116
艘、836万载重吨，按载重吨计，环比减少30.9%，同比增加258.5%。
1)新船需求显著回d
中信建投研报指出，1-7月，全球累计签约新船订单1014艘、7894万载重吨，按载重吨计，同比增长183.7%,创2016年以来最高。7月份，全球签约新船订单116艘、836万载重吨，按载重吨计，环比减少30.9%，同比增加258.5%。
短期来看，国际造船市场将持续活跃,预计全年新船成交量有望达到1.2亿载重吨，高于年初行业普遍预期的9000万载重吨水平。
中国方面，根据中国船舶工业协会数据显示，1-7月份，全国造船完工2418万载重吨，同比增长20.7%。承接新船订单4522万载重吨，同比增长
223.2%。7月底，手持船舶订单8967万载重吨，同比增长18.6%，比2020年底手持订单增长26.1%。
2)今年新造船市场将持续活跃，或将成为近年来造船市场的小高峰
今年造船市场活跃主要受到以下原因带动:
一是下游船东现金流充裕，当前新船价格仍然较低，船东造船意愿提升。受疫情的供需错配影响，从2020年年底开始，集装箱、散货船运价先后大幅上涨，2021年7月克拉克松海运指数较年初提高了107%。运价大幅快速上涨使得一季度船东盈利大增，流动资金充足，而2020年造船价格进一步下降,船东在当前环境下造船意愿提升。
二是2020年受疫情影响，新造船订单大幅下降，船东下单计划推迟到2021年，叠加后续更新计划的提升释放，造成2021年订单将成为近年来造船市场的小高峰。2020年全球新造船订单仅为6000万载重吨，这部分需求会推迟到2021年。增速将从交期来看，当前 的集装箱船交期排在了2023- 2024年，表明部分后续更替计划或已经提前释放。
3)此轮造船小高峰对船舶价格影响的d性有限
从船东建造意愿来看，此次疫情造成的运力相对不足主要是港口装卸效率下降引起的，并不是船舶运力短缺。此外,受到此前2008年造船高峰后运力过剩 的影响，加. 上环保要求提升后技术路线尚不成熟，目前船东新造船相对谨慎,需求d性较大，因此价格.上涨幅度有限，目前克拉克松新造船指数143，较2020年底提高了13.5%。
新造船市场进入长周期.上升阶段，此次疫情加速上行周期的到来。造船市场需求来源于两个方面，-是海运量增长带来的船队规模需求增长。二是更新需求。
2017年以前，全球化的深入使得海运 量增长快于全球GDP增长，2018年 以后，贸易保护主义抬头，海运量增速放缓，2020年疫情影响或出现负增长，2021年由于欧美国家消费刺激效果显现，海运量或重回正增长。更新需求方面，从2023年开始逐渐进入更新需求持续.上行时期，长度或将达到10年，此轮疫情影响将加速上行周期的到来。
半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
一、半导体材料主要种类
半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。
1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。
（半导体材料）
2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。
（半导体材料元素结构图）
半导体材料
三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂的无机化合物。
3、有机化合物半导体：已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。
4、非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。
二、半导体材料实际运用
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。
半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。
（半导体材料）
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。
在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。
三、半导体材料发展现状
相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算，
半导体材料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。
（半导体材料）
美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。
日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。
芯片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增幅分别为9%和6%。
半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键合部分在2007年获得36%的增长。
与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。
四、半导体材料战略地位
20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、 *** 纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式
掩膜板不会淘汰。导致掩膜版难以实现国产化，国内市场被日本东曹、菲利华、日本信越化学等企业占据。国际半导体产业协会数据，在半导体材料中成本占比中，硅片占比约为37%，就是掩膜版和半导体气体，分别占比约13%。掩膜版是半导体芯片制造的关键材料。中国是全球需求最大的半导体市场，集成电路市场规模持续上升，未来增长空间广阔，对掩膜版市场需求可观。欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）