多芯片组件(MCM),多芯片组件(MCM)是什么意思

MCM一般采用DCA（裸芯片直接安装技术）或CSP，可使电路图形线宽达到几微米到几十微米的等级。在MCM基础上设计的与外部电路连接的扁平引线间距为0.5mm，把几块MCM利用SMT组装在普通的PCB上即可实现系统的功能。它是为适应现代电子系统短、小、轻、薄和高速、高性能、高可靠性、低成本的发展方向而在多层印制板(PCB)和表面安装技术(SMT)的基础上发展起来的新一代微电子封装与组装技术，是实现系统集成的有力手段。 MCM组装的是超大规模集成电路和专用集成电路的裸片，而不是中小规模的集成电路，技术上MCM追求高速度、高性能、高可靠性和多功能，而不象一般混合IC技术以缩小体积重量为主。多芯片组件技术的基本特点(1)MCM是将多块未封装的IC芯片高密度安装在同一基板上构成的部件，省去了IC的封装材料和工艺，节约了原材料，减少了制造工艺，缩小整机／组件封装尺寸和重量。(2)MCM是高密度组装产品，芯片面积占基板面积至少20％以上，互连线长度极大缩短，封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化。(3)MCM的多层布线基板导体层数应不小于4层，能把模拟电路、数字电路、功率器件、光电器件、微波器件及各类片式化元器件合理有效地组装在封装体内，形成单一半导体集成电路不可能完成的多功能部件、子系统或系统。使线路之间的串扰噪声减少，阻抗易控，电路性能提高。(4)MCM避免了单块IC封装的热阻、引线及焊接等一系列问题，便产品的可靠性获得极大提高。(5)MCM集中了先进的半导体IC的微细加工技术，厚、薄膜混合集成材料与工艺技术，厚膜、陶瓷与PCB的多层基板技术以及MCM电路的模拟、仿真、优化设计、散热和可靠性设计、芯片的高密度互连与封装等一系列新技术，因此，有人称其为混合形式的全片规模集成WSI(Wafer-scaleIntegration)技术。多芯片组件技术的基本类型根据多层互连基板的结构和工艺技术的不同，MCM大体上可分为三类：①层压介质MCM(MCM-L)；②陶瓷或玻璃瓷MCM(MCM-C)；③硅或介质材料上的淀积布线MCM(MCM-D)。表1给出MCM三种基本类型的结构、材料和性能。MCM-L是采用多层印制电路板做成的MCM，制造工艺较成熟，生产成本较低，但因芯片的安装方式和基板的结构所限，高密度布线困难，因此电性能较差，主要用于30MHz以下的产品。MCM-C是采用高密度多层布线陶瓷基板制成的MCM，结构和制造工艺都与先进IC极为相似，其优点是布线层数多，布线密度、封装效率和性能均较高，主要用于工作频率(30-50)MHz的高可靠产品。它的制造过程可分为高温共烧陶瓷法(HTCC)和低温共烧陶瓷法(LTCC)，由于低温下可采用Ag、Au、Cu等金属和一些特殊的非传导性材料，近年来，低温共烧陶瓷法占主导地位。MCM-D是采用薄膜多层布线基板制成的MCM，其基体材料又分为MCM-D／C(陶瓷基体薄膜多层布线基板的MCM)、MCM-D／M(金属基体薄膜多层布线基板的MCM)、MCM-D／Si(硅基薄膜多层布线基板的MCM)等三种，MCM-D的组装密度很高，主要用于500MHz以上的产品。三维多芯片组件通常所说的多芯片组件都是指二维的(2D-MCM)，它的所有元器件都布置在一个平面上，不过它的基板内互连线的布置已是三维。随着微电子技术的进一步发展，芯片的集成度大幅度提高，对封装的要求也更加严格，2D-MCM的缺点也逐渐暴露出来。目前，2D-MCM组装效率最高可达85％，已接近二维组装所能达到的最大理论极限，这已成为混合集成电路持续发展的障碍。为了改变这种状况，三维的多芯生组件(3D-MCM)就应运而生了，其最高组装密度可达200％。3D-MCM是指元器件除了在x-y平面上展开以外，还在垂直方向(z方向)上排列，与2D-MCM相比，3D-MCM具有以下的优越性：①进一步减小了体积，减轻了重量。相对于2D-MCM而言，3D-MCM可使系统的体积缩小10倍以上，重量减轻6倍以上。②3D-MCM中芯片之间的互连长度比2D-MCM短得多，因此可进一步减小信号传输延迟时间和信号噪声，降低了功耗，信号传输(处理)速度增加。③由于3D-MCM的组装效率目前己高达200％，进一步增大了组装效率和互连效率，因此可集成更多的功能，实现多功能的部件以至系统(整机)。④互连带宽，特别是存储器带宽往往是影响计算机和通信系统性能的重要因素。降低延迟时间和增大总线宽度是增大信号宽度的重要方法。3D-MCM正好具有实现此特性的突出优点。⑤由于3D—MCM内部单位面积的互连点数大大增加，具有更高的集成度，使其整机(或系统)的外部连接点数和插板大大减小，因此可靠性得到进一步提高。3D-MCM虽然具有以上所述的优点，但仍然有一些困难需要克服。和2D-MCM相比，3D-MCM的封装密度增加了，必然导致单位基板面积上的发热量增大，因此散热是关键问题，一般采用以下方法：采用低热阻材料，如金刚石或化学气相淀积(CVD)金刚石薄膜；采用水冷或强制空冷；采用导热粘胶或散热通孔将热量尽快散发出去。另外，作为一项新技术，3D-MCM还需进一步完善，需更新设备，开发新的软件，还要承担一定的风险。多芯片组件的应用及发展趋势多芯片组件(MCM)在组装密度(封装效率)、信号传输速度、电性能以及可靠性等方面独具优势，是目前能最大限度地提高集成度、提高高速单片IC性能，制作高速电子系统，实现整机小型化、多功能化、高可靠性、高性能的最有效途径。MCM早在80年代初期就曾以多种形式存在，但由于成本昂贵，大都只用于军事、航天及大型计算机上。随着技术的进步及成本的降低，近年来，MCM在计算机、通信、雷达、数据处理、汽车行业、工业设备、仪器与医疗等电子系统产品上得到越来越广泛的应用，已成为最有发展前途的高级微组装技术。例如利用MCM制成的微波和毫米波SOP(System-on-a-package)，为集成不同材料系统的部件提供了一项新技术使得将数字专用集成电路、射频集成电路和微机电器件封装在一起成为可能。3D-MCM是为适应军事宇航、卫星、计算机、通信的迫切需求而近年来在国外得到迅速发展的高新技术，是实现系统集成的重要技术途径。目前3D-MCM已被应用到高性能大容量的存储器组件和计算机系统，充分发挥了三维多芯片组件技术的优越性。随着微电子技术的发展，微电子封装将向微型化、轻型化和薄型化方向发展。3-D封装技术具有降低功耗、减轻重量、缩小体积、减弱噪声、降低成本等优点，它将是未来微电子封装的主要发展方向。电子系统(整机)向小型化、高性能化、多功能化、高可靠和低成本发展已成为目前的主要趋势，从而对系统集成的要求也越来越迫切。实现系统集成的技术途径主要有两个：一是半导体单片集成技术，二是MCM技术。前者是通过晶片规模的集成技术(WSl)，将高性能数字集成电路(含存储器、微处理器、图象和信号处理器等)和模拟集成电路(含各种放大器、变换器等)集成为单片集成系统。后者是通过三维多芯片组件(3D-MCM)技术实现WSI的功能。三维多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重要方向，是新世纪微电子技术领域的一项关键技术。

MCM(multi-chip module)

多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分

为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。

MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。

MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使

用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。

MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。

布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。

CBGA Ceramic Ball Grid Array 陶瓷焊球阵列

CCGA Ceramic Column Grid Array 陶瓷焊柱阵列

CLCC Ceramic Leaded Chip Carrier 带引脚的陶瓷片式载体

CML Current Mode Logic 电流开关逻辑

CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 互补金属氧化物半导体

COB Chip on Board 板上芯片

COC Chip on Chip 叠层芯片

COG Chip on Glass 玻璃板上芯片

CSP Chip Size Package 芯片尺寸封装

CTE Coefficient of Thermal Expansion 热膨胀系数

CVD Chemical Vapor Depositon 化学汽相淀积

DCA Direct Chip Attach 芯片直接安装

DFP Dual Flat Package 双侧引脚扁平封装

DIP Double In-Line Package 双列直插式封装

DMS Direct Metallization System 直接金属化系统

DRAM Dynamic Random Access Memory 动态随机存取存贮器

DSO Dual Small Outline 双侧引脚小外形封装

DTCP Dual Tape Carrier Package 双载带封装

3D Three-Dimensional 三维

2D Two-Dimensional 二维

EB Electron Beam 电子束

ECL Emitter-Coupled Logic 射极耦合逻辑

FC Flip Chip 倒装片法

FCB Flip Chip Bonding 倒装焊

FCOB Flip Chip on Board 板上倒装片

FEM Finite Element Method 有限元法

FP Flat Package 扁平封装

FPBGA Fine Pitch Ball Grid Array 窄节距BGA

FPD Fine Pitch Device 窄节距器件

FPPQFP Fine Pitch Plastic QFP 窄节距塑料QFP

GQFP Guard-Ring Quad Flat Package 带保护环的QFP

HDI High Density Interconnect 高密度互连

HDMI High Density Multilayer Interconnect 高密度多层互连

HIC Hybird Integrated Circuit 混合集成电路

HTCC High Temperature Co-Fired Ceramic 高温共烧陶瓷

HTS High Temperature Storage 高温贮存

IC Integrated Circuit 集成电路

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极晶体管

ILB Inner-Lead Bond 内引脚焊接

I/O Input/Output 输入/输出

IVH Inner Via Hole 内部通孔

JLCC J-Leaded Chip Carrier J形引脚片式载体

KGD Known Good Die 优质芯片

LCC Leadless Chip Carrier 无引脚片式载体

LCCC Leadless Ceramic Chip Carrier 无引脚陶瓷片式载体

LCCP Lead Chip Carrier Package 有引脚片式载体封装

LCD Liquid Crystal Display 液晶显示器

LCVD Laser Chemical Vapor Deposition 激光化学汽相淀积

LDI Laser Direct Imaging 激光直接成像

LGA Land Grid Array 焊区阵列

LSI Large Scale Integrated Circuit 大规模集成电路

LOC Lead Over Chip 芯片上引线健合

LQFP Low Profile QFP 薄形QFP

LTCC Low Temperature Co-Fired Ceramic 低温共烧陶瓷

MBGA Metal BGA 金属基板BGA

MCA Multiple Channel Access 多通道存取

MCM Multichip Module 多芯片组件

MCM-C MCM with Ceramic Substrate 陶瓷基板多芯片组件

MCM-D MCM with Deposited Thin Film Inteconnect Substrate 淀积薄膜互连基板多芯片组件

MCM-L MCM with Laminated Substrate 叠层基板多芯片组件

MCP Multichip Package 多芯片封装

MELF Metal Electrode Face Bonding 金属电极表面健合

MEMS Microelectro Mechanical System 微电子机械系统

MFP Mini Flat Package 微型扁平封装

MLC Multi-Layer Ceramic Package 多层陶瓷封装

MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit 微波单片集成电路

MOSFET Metal-Oxide-Silicon Field-Effect Transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管

MPU Microprocessor Unit 微处理器

MQUAD Metal Quad 金属四列引脚

MSI Medium Scale Integration 中规模集成电路

OLB Outer Lead Bonding 外引脚焊接

PBGA Plastic BGA 塑封BGA

PC Personal Computer 个人计算机

PFP Plastic Flat Package 塑料扁平封装

PGA Pin Grid Array 针栅阵列

PI Polymide 聚酰亚胺

PIH Plug-In Hole 通孔插装

PTF Plastic Leaded Chip Carrier 塑料有引脚片式载体

PTF Polymer Thick Film 聚合物厚膜

PWB Printed Wiring Board 印刷电路板

PQFP Plastic QFP 塑料QFP

QFJ Quad Flat J-leaded Package 四边J形引脚扁平封装

QFP Quad Flat Package 四边引脚扁平封装

QIP Quad In-Line Package 四列直插式封装

RAM Random Access Memory 随机存取存贮器

SBB Stud-Bump Bonding 钉头凸点焊接

SBC Solder-Ball Connection 焊球连接

SCIM Single Chip Integrated Module 单芯片集成模块

SCM Single Chip Module 单芯片组件

SLIM Single Level Integrated Module 单级集成模块

SDIP Shrinkage Dual Inline Package 窄节距双列直插式封装

SEM Sweep Electron Microscope 电子扫描显微镜

SIP Single In-Line Package 单列直插式封装

SIP System In a Package 系统级封装

SMC Surface Mount Component 表面安装元件

SMD Surface Mount Device 表面安装器件

SMP Surface Mount Package 表面安装封装

SMT Surface Mount Technology 表面安装技术

SOC System On Chip 系统级芯片

SOIC Small Outline Integrated Circuit 小外形封装集成电路

SOJ Small Outline J-Lead Package 小外形J形引脚封装

SOP Small Outline Package 小外形封装

SOP System On a Package 系统级封装

SOT Small Outline Transistor 小外形晶体管

SSI Small Scale Integration 小规模集成电路

SSIP Small Outline Single-Line Plug Package 小外形单列直插式封装

SSOP Shrink Small Outline Package 窄节距小外形封装

SPLCC Shrinkage Plasitc Leadless Chip Carrier 窄节距塑料无引脚片式载体

STRAM Selftimed Random Access Memory 自定时随机存取存贮器

SVP Surface Vertical Package 立式表面安装型封装

TAB Tape Automated Bonding 载带自动焊

TBGA Tape BGA 载带BGA

TCM Thermal Conduction Module 热导组件

TCP Tape Carrier Package 带式载体封装

THT Through-Hole Technology 通孔安装技术

TO Transistor Outline 晶体管外壳

TPQFP Thin Plastic QFP 薄形塑料QFP

TQFP Tape QFP 载带QFP

TSOP Thin SOP 薄形SOP

TTL Transistor-Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑

UBM Metalization Under Bump 凸点下金属化

UFPD Ultra Small Pitch Device 超窄节距器件

USOP Ultra SOP 超小SOP

USONF Ultra Small Outline Package Non Fin 无散热片的超小外形封装

UV Ultraviolet 紫外光

VHSIC Very High Speed Integrated Circuit 超高速集成电路

VLSI Very Large Scale Integrated Circuit 超大规模集成电路

WB Wire Bonding 引线健合

WLP Wafer Level Package 圆片级封装

WSI Wafer Scale Integration 圆片级规模集成

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