1.第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅,在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用,硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。
2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
3.第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
扩展资料
Si和化合物半导体是两种互补的材料,化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点,而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势,且两者在应用领域都有一定的局限性,因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容,取各自的优点,从而生产出符合更高要求的产品,如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。
但是第三代宽禁带半导体材料,可以被广泛应用在各个领域,消费电子、照明、新能源汽车、导d、卫星等,且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈,故被市场看好的同时,随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。
参考资料百度百科——半导体材料
(1)镓位于周期表中第四周期第IIIA,故其核外电子排布式为1s22s22p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1,价电子的轨道排布式为:,故答案为:;
(2)A.因砷和镓的电子排布中最后填充的是p电子,则都属于p区元素,故A正确;
B.GaN、GaP、GaAs晶体结构与单晶硅相似,属于原子晶体,故B错误;
C.Ga的金属性强,则第一电离能小,电负性小,故C正确;
D.Ga的金属性强,则第一电离能小,电负性小,故D错误;
故选AC.
(3)反应为(CH3)3Ga和AsH3,生成为GaAs,根据质量守恒可知还应有和CH4,甲烷是非极性分子;(CH3)3Ga中Ga形成3个δ键,没有孤电子对,为sp2杂化,
故答案为:非极性分子;sp2;
(4)晶体硅中每个硅原子和四个硅原子形成四个共价键,如果一个硅原子在正方体体心上,4个硅原子在相对的4个顶点上,所以为:,故答案为:.
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