半导体镀膜工艺是什么

镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD：物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材（金靶，铜靶，Al，Cr.....），金属原子脱离靶材，落在wafer表明，形成薄膜。CVD：化学气相沉积。这个是通过化学反应，在晶圆表面张氧化薄膜。

化学镀优点有很多，同样也有缺点。

在处理废水时，若废水中的添加剂不多，成分简单，则会容易处理，有些镀液会添加缓冲剂，比如硼酸，也可能会添加光亮剂，湿润剂等等。这些都不会对废液的性质产生太大的影响，因为容易降解或者处理。但是化学反应镀镍时添加的络合剂就会对废水产生比较大的影响，它本身就对镍离子具有络合作用，在废水中也会吸附镍离子，重金属捕捉剂，螯合剂等方法都无法解决这个问题，使除镍对于电镀行业成为难题。

化学镀是一种新型的金属表面处理技术，该技术以其工艺简便、节能、环保日益受到人们的关注。化学镀使用范围很广，镀金层均匀、装饰性好。

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。

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