实际上可供选择半导体材料就那么几类,要么是硅,砷化镓这种半导体,要么是氧化物,不然就是硫/磷化物等。就算不考虑是p/n型还是本征半导体,由于 O 2p 等分子orbital的限制,能带结构不是想调节就能调节的。总之蛮复杂的,可选择的半导体不多。如果你指的是z-scheme,那就更没啥最佳带隙了吧,先匹配能级再说,吸光自然是越多越好。
导体,半导体,绝缘体,通过能带理论区分的话,是根据带宽来区分的,也就是说倒带到价带之间的宽度,这个称谓带隙。导体的导带一般为半满或者空大,价带中的电子可以通过带隙到导带,因此称谓导体;绝缘体的倒带一般为满带,且带隙一般大于3.6ev,因此不能够形成电子的迁移;对于半导体导带一般为空带,但是带隙较窄一般为0.5-3.6ev,在有杂质能级或者物理场的作用下可以形成电子迁移,这个称谓半导体。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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