CMOS中 cox是什么意思

这个我不是很懂啦，但是看到问题想说下自己想法，具体的Cox意义和推导是半导体器件物理中的内容。

在一般的模拟集成电路设计中，在设计电路时有指定的工艺模型，里头Cox是一个给定的参数，不同的工艺里Cox的大小都会有区别。所以设计电路的孩纸对这样的参数不用过于深究，但要知道是啥（这算是学习指引啦，哈哈）

我试着解释一下吧，栅极和衬底之间之间有一层氧化层（相当于介质），G和B（衬底）之间会有电容，电容的大小和栅极面积有关，栅极面积 = W*L，所以Cox = Cgb/WL。

其实CMOS的物理模型里有好多电容，什么Cgd，Cgs，Csb...（把g、d、s、b排列组合一遍），Cgb是里头比较大的，然后又和W、L密切相关，所以比较重要

平带电位（Flatbandvoltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。

用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。

测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候，光生电子不能够进入外电路，也就是说不会产生光电流。

相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产生光电流的电势即为该纳米半导体的平带电位。

扩展资料：

平带电压计算

平带电压可分为两部分相加，Vfb=Vfb1+Vfb2，Vfb1用来抵消功函数差的影响，Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响

1）Vfb1

Vfb1=φms=φg-φf；

对于多晶硅栅，高掺杂的情况下，φg≈0.56V，+用于p型栅，-用于n型栅。

φf是相对于本征费米能级的费米势。

2）Vfb2

以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用，Vfb2=-Q0/Cox。

Cox为单位面积氧化层电容，可用ε0/dox求得。

总结起来，Vfb=φg-φf-Q0/Cox。

参考资料来源：百度百科-平带电位

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