第一类钝化膜是与制造器件的单晶硅材料直接接触的。其作用在于控制和稳定半导体表面的电学性质,控制固定正电荷和降低表面复合速度,使器件稳定工作。
第二类钝化膜通常是制作氧化层、金属互连布线上面的,它应是能保护和稳定半导体器件芯片的介质薄膜,需具有隔离并为金属互连和端点金属化提供机械保护作用,它既是杂质离子的壁垒,又使器件表面具有良好的力学性能。
钝化层是钝化的那部分。钝化是使金属表面转化为不易被氧化的状态,而延缓金属的腐蚀速度的方法。
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*新样品物性特征
1:06年9月接受的样品与(以前样品)对比差异点
-透气度提升(2个样品中最高水准)
-porosity增加(2个样品中最高水准)
-折痕强度减少(但是,16um里还是最高的)
-引张强度上没有较大的变化
-DM/TM热收缩率大幅减少
2:强度,透气度,porosity面里16um级型号中最高的水准
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