就在这个时候，华为提出了研发芯片新技术的想法，并将其付诸实践。不用EUV光刻机也行？华为开启芯片新技术研发，这回谁也拦不住。
为了这次的公开专利显示，华为更是下重本申请了“光计算芯片”的专利，与以往的芯片不一样的是，这次要研发的新型芯片，基本方向是被定为光子芯片的。
而听到光子芯片这个名字，想必你也能够想象得到它所追求的，必然是飞快的速度，以及高效的效率了吧。不过也正因为如此，它的研发难度你可想而知。
不过一旦这种芯片研发能够成功，那么不用EUV光刻机也可以，它如果能够取得成功，势必将成为半导体行业的一大极具纪念意义的里程碑。
众所周知，华为一直以来，都是我国人民的骄傲。它不单单是拿下了5G的代理权，而且在半导体的芯片市场一直都是芯片厂家强有力的对手。
而华为能够取得如此傲人成绩的主要原因，还是源于它对于产品不断的研究和创新能力。
而这次，它更是主力要打破大众对于传统 芯片的认识，不再采用硅作为主要的原材料，而是申请了“光计算芯片”的专利，将此使用在了系统和数据处理技术上面。
华为此举，我们不得不说，是非常冒险而又极具胆识的举动。相信很多的企业都不得不佩服华为能够拥有这样过人的胆识和魄力吧，毕竟这也不是谁都能够做得到的。
而华为其实也是经过了很多层面的考虑和深思，才得出了这样的结论的吧。
之前，就有美国大学利用光作为传输媒介从而成功研发光子芯片的故事，那么想来，华为想要成功研发光计算芯片，也并不是异想天开的事情，这也是建立在现有的现实依据之上的，是经过精密的计算的。
其实，全世界的企业对于光子芯片这一个概念，并不是第一次听说了。相反，对于这个领域，大家伙都是充满着好奇和 探索 精神的，只是华为冲在了第一线上，成为了第一个吃螃蟹的人。
要知道，光子的速度和效率是非常之高的，几乎是电子的好几十倍的存在。所以，不少的人们预言，光子芯片或许有望成为新一代的芯片体系，引领着新一轮的半导体行业中的芯片技术体系。
不过，由于光子芯片的极快速度和极高的效率，我们也可以从侧面看出，它的研发所需要历经的困境之多，毕竟，这些都不是可以一蹴而就的。
一旦成功，那么就意味着我们将可以使用更加成熟的芯片制造技术，甚至于不用依赖EUV光刻机也可以实现算力的分析。
不过，我国目前对于光子芯片研究的企业和领域还是很稀少的，基本上还是比较依赖于海外的研究和技术成果。
而此次华为的芯片新技术的研究，涉及到了新型的光子芯片的新领域，它的每一个小的步伐，都将是整个行业的一大进步，所以也是备受世人的期待。
也正是因为如此，想来，华为身上所要承担的压力更是数不胜数的。不过，华为此次的决定，相信是谁也拦不住的，而华为也是下定了决心，要在往后的路上跟芯片的发展和新工艺的研发一路死磕到底了吧。
华为的这一个重大的举措，在我看来，是非常具有大企业气度行为。它丝毫不畏惧往后可能要面对的困境和很有可能遇到的失败的情形，是非常值得被世人所称赞的行为。
而且，我想，哪怕现在的传统芯片工艺制造地再精细，哪怕是从7纳米进化到5纳米，虽说每次都是在打破芯片行业的极限。
但是，我们也不得不承认，这样的前路是极其渺茫的。台积电花费了几十年的时间，取得了5纳米的成绩，但是未来呢？
芯片的发展又应该朝着怎么的步伐而去前行呢？这个时候，华为的光计算芯片的概念就成为了芯片行业新的指路灯。
我们必须相信， 科技 的发展是极其飞快的，它始终是令人感觉到不可思议的存在，与此同时，它也是最具现实主义的存在吧。
很多的产业发展都不会局限于一个方向，因为如果只有一个方向的话，这个行业将很难得到全面的发展。
芯片行业的发展也是如此，如果一味只是朝着传统芯片去精化，相信时间一长，也是难以承载的，所以对于芯片新技术的 探索 是势在必行的行为，而华为则是恰巧地勇敢踏出了这一步。
华为此次研发的方向是光子芯片的。不过也正因为如此，它的研发难度你可想而知，这也就是为什么那么多的企业，就算是极其专业的芯片生产厂家，也不敢贸然进行研发。
毕竟它不管是金钱的投入，时间上的成本，亦或者是对人才的需求，都是一个庞大的数字，令人望而止步。
不过我们也必须看到，成功往往都是建立在风险之上的，一旦这种芯片研发能够成功，那么在未来的时间里，我们就算不用EUV光刻机也可以进行芯片计算分析！
写在后面
这也从另一个层面，证明了它如果一旦能够取得成功，势必将成为半导体行业的一大极具纪念意义的里程碑，推动着整个芯片行业朝着新技术领域发展。
至于接下来的发展会是怎么样一个局面，相信谁也没有办法给出一个绝对的答案，那么就让我们把这个谜底的揭晓，留给时间吧，相信在未来的时间里，我们会受到一份满意的答卷的。
对此，你有什么样的看法呢？
【新智元导读】 2月25日，清华大学工程物理系唐传祥研究组与合作团队在《自然》上发表研究论文《稳态微聚束原理的实验演示》，报告了一种新型粒子加速光源「稳态微聚束」的首个原理验证实验。与之相关的极紫外光源有望解决自主研发光刻机中最核心的「卡脖子」难题。
最现代的研究用光源是基于粒子加速的。
这些都是大型设施，电子在其中被加速到几乎是光速，然后发射出具有特殊性质的光脉冲。
在基于存储环的同步辐射源中，电子束在环中旅行数十亿转，然后在偏转磁体中产生快速连续的非常明亮的光脉冲。
相比之下，自由电子激光器(FEL)中的电子束被线性加速，然后发出单次超亮的类似激光的闪光。
近年来，储能环源以及FEL源促进了许多领域的进步，从对生物和医学问题的深入了解到材料研究、技术开发和量子物理学。
现在，一个中德团队证明，在同步辐射源中可以产生一种脉冲模式，结合了两种系统的优点。
2月25日，清华大学工程物理系教授唐传祥研究组与来自亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心（HZB）以及德国联邦物理技术研究院（PTB）的合作团队在Nature上发表了题为《稳态微聚束原理的实验演示》（ Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching ）的论文。
报告了一种新型粒子加速光源「稳态微聚束」（Steady-state microbunching，SSMB）的首个原理验证实验。
该研究与极紫外（EUV）光刻机光源密切相关，有望为EUV光刻机提供新技术路线。
SSMB光源首个原理验证实验，中德团队登上Nature
同步辐射源提供短而强烈的微束电子，产生的辐射脉冲具有类似于激光的特性（与FEL一样），但也可以按顺序紧密跟随对方（与同步辐射光源一样）。
大约十年前，斯坦福大学教授、清华大学杰出访问教授、著名加速理论家赵午和他的博士生Daniel Ratner以提出了「稳态微束」（SSMB）。
赵午教授
该机制还应该使存储环不仅能以高重复率产生光脉冲，而且能像激光一样产生相干辐射。
来自清华大学的青年物理学家邓秀杰在他的博士论文中提出了这些观点，并对其进行了进一步的理论研究。
2017年，赵午教授联系了HZB的加速物理学家，他们除了在HZB *** 作软X射线源BESSY II外，还在PTB *** 作计量光源（MLS）。
MLS是世界上第一个通过设计优化运行的光源，在所谓的 「低α模式 」下运行。
在这种模式下，电子束可以大大缩短。10多年来，那里的研究人员一直在不断开发这种特殊的运行模式。
HZB的加速专家Markus Ries解释说：「现在，这项开发工作的成果使我们能够满足具有挑战性的物理要求，在MLS实证确认SSMB原理」。
「SSMB团队中的理论小组在准备阶段就定义了实现机器最佳性能的物理边界条件。这使我们能够用MLS生成新的机器状态，并与邓秀杰一起对它们进行充分的调整，直到能够检测到我们正在寻找的脉冲模式」，HZB的加速物理学家Jörg Feikes说。
HZB和PTB专家使用了一种光学激光器，其光波与MLS中的电子束在空间和时间上精确同步耦合。
这就调制了电子束中电子的能量。
「这使得几毫米长的电子束在存储环中正好转了一圈后分裂成微束（只有1微米长），然后发射光脉冲，像激光一样相互放大」，Jörg Feikes解释道。
「对相干态的实验性探测绝非易事，但我们PTB的同事开发了一种新的光学检测装置，成功地进行了探测。」
SSMB概念提出后，赵午持续推动SSMB的研究与国际合作。
2017年，唐传祥与赵午发起该项实验，唐传祥研究组主导完成了实验的理论分析和物理设计，并开发测试实验的激光系统，与合作单位进行实验，并完成了实验数据分析与文章撰写。
揭示SSMB作为未来光子源潜力的关键一步，是在真实机器上演示其机制。在新的论文中，研究人员报告了SSMB机制的实验演示。
SSMB原理验证实验示意图
实验表明，存储在准等时环中的电子束可以产生亚微米级的微束和相干辐射，由1,064纳米波长激光器诱导的能量调制后一个完整的旋转。
结果验证了电子的光相可以在亚激光波长的精度上逐次相关。
SSMB原理验证实验结果
在这种相位相关性的基础上，研究人员通过应用相位锁定的激光器与电子轮流相互作用来实现SSMB。
该图示直观地展示了如何通过激光调制电子束来产生发射激光的微束，是实现基于SSMB的高重复性、高功率光子源的一个里程碑。
有望解决EUV卡脖子难题
没有顶尖的光刻机，是我国半导体行业发展的最大瓶颈。
光刻机的曝光分辨率与波长直接相关，半个多世纪以来，光刻机光源的波长不断缩小，芯片工业界公认的新一代主流光刻技术是采用波长为13.5纳米光源的EUV（极紫外光源）光刻。
大功率的EUV光源是EUV光刻机的核心基础。简而言之，光刻机需要的EUV光，要求是波长短，功率大。
EUV光刻机工作相当于用波长只有头发直径一万分之一的极紫外光，在晶圆上「雕刻」电路，最后将让指甲盖大小的芯片包含上百亿个晶体管，这种设备工艺展现了人类 科技 发展的顶级水平。
而昂贵的EUV光刻机也正是实现7nm的关键设备，目前，荷兰ASML是全球唯一一家能够量产EUV光刻机的厂商，而由于禁令，我国中芯国际订购的一台EUV仍未到货。
如果中国大陆无法引入ASML的EUV光刻机，则意味着大陆将止步于7nm工艺。
目前ASML公司采用的是高能脉冲激光轰击液态锡靶，形成等离子体然后产生波长13.5纳米的EUV光源，功率约250瓦。而随着芯片工艺节点的不断缩小，预计对EUV光源功率的要求将不断提升，达到千瓦量级。
SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源。它们产生的类似激光的辐射也超出了 "光 "的可见光谱，例如在EUV范围内，最后阶段，SSMB源可以提供一种新的辐射特性。脉冲是强烈的、集中的和窄带的。可以说，它们结合了同步辐射光的优势和FEL脉冲的优势。
可以说，基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，并具备向更短波长扩展的潜力，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。
EUV光刻机的自主研发还有很长的路要走，基于SSMB的EUV光源有望解决自主研发光刻机中最核心的「卡脖子」难题。
关于作者
本文的通讯作者唐传祥教授是清华大学的博士生导师。
1992年9月－1996年3月，考入 清华大学工程物理系硕博连读。1996年3月获得工学博士学位， 博士学位论文为“用于北京自由电子激光装置的多腔热阴极微波电子q的研究”。
1996年4月获得博士学位后，留校工作。
1996年7月 1998年6月期间，作为访问学者到德国DESY工作2年。在DESY工作期间，主要进行超导加速结构的优化及测量研究，并与J. Sekutowicz, M.Ferrario等合作提出了Superstructure的超导加速结构。
1998年6月回国后，继续在清华大学从事加速物理、高亮度注入器、汤姆逊散射X射线源、自由电子激光、新加速原理与新型加速结构、电子直线加速关键物理及技术、加速应用等方面的研究。
参考资料：
https://phys.org/news/2021-02-reveals-options-synchrotron-sources.html
https://news.tsinghua.edu.cn/info/1438/84915.htm
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