美国半导体清洗标准是什么

美国半导体清洗标准。对切割出来的硅片进行打磨、抛光。硅片的表面会有很多大小不一的、各种各样的颗粒，包括金属沫、油污等。这些颗粒是要清洗的内容。

1、加热。假设室温20℃的情况下，用加热器将清洗溶液的温度加热到80℃，这样酸碱在高温下能加快反应，得到更好的清洗效果。

2、使用超声波产生气泡，同样能够达到吸取硅片表面杂质的目的。这种情况是在温度要求不能太高的情况下使用的。

3、震动。为了让杂质不会粘贴在硅片表面上，采用一种晃动的方式，让装有硅片的篮子在清洗溶液中充分接触溶液，增加摩擦，有效去污。

标准的RCA清洗方法：

1 NH3•H2O（氨水）：H2O2（双氧水）：去离子水=1：1：5浸泡（70~80度）

2 HF：去离子水=1：20浸泡。3 HCL（盐酸）：H202（双氧水）：去离子水=1：1：5浸泡（70~80度）。

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