三星为什么要替换所有的日本半导体材料？

据最新消息，日本将进一步扩大限制范围，将全面覆盖半导体以及屏幕面板制造的原材料以及设备，同时还计划在下周彻底将“韩国”从“白名单国家”移除！

韩国半导体和显示器制造商严重依赖日本的设备。目前，从日本进口的晶圆材料占韩国半导体制造商整体晶圆使用量50%以上。这也意味着，一旦日本限制晶圆出口，三星和SK海力士等韩国半导体制造商将直接面临停工危机。

不得不说，如果没有这场日本对韩国发起的“限制令”，或许大家永远都无法想到，即便是索尼、夏普等厂商纷纷相机倒下后，日本依旧掌握着全球半导体行业以及屏幕面板生产原材料的命脉。

而此次日本对韩国的限制，已经不仅仅局限于在原材料方面，同时还将会限制核心关键设备对韩出口，比如在三星OLED屏幕面板生产所需的核心关键设备材料：“蒸镀机”、"金属掩膜板(FMM)"、“超因瓦板”等都掌握在了日本企业手中，此前都与三星签订了“独家协议”，所以三星可以一直“高枕无忧”，但却偏偏遇上了遇日本的“制裁”，未来这些“设备”，三星或许是真的有钱都未必买得到。

根据相关媒体的报道，继半导体材料氟聚酰亚胺、光刻胶、高纯度氟化氢进行了限制出口之后，接下来将会进一步扩大限制范围，其中就包括：日本的Canon Tokki拥有“真空蒸镀机”、“大日本印刷”所生产的金属掩膜板FMM( Fine Metal Mask )、日立金属的最强FMM金属材料，这些都是三星电子生产三星OLED屏幕所必须的设备以及“原材料”，|中国半导体论坛公众号|这也意味着“限制令”将会全面覆盖到半导体和面板制造设备，不过目前这一消息，尚未得到确认，但从目前双方并不愿妥协的态度来看，韩国正在大规模抵制日货，此举也直接造成了双方关系非常紧张，所以也进一步提高了日本扩大“限制令”范围的可能性。

据相关人士的预测，目前韩国半导体厂商的备货最多能够维持4-6个月的正常生产，如果在这期间，还无法找到替代品，那么意味着韩国的半导体行业将会面临全面坍塌的风险，尤其是三星在OLED屏幕面板以及芯片代工领域，根据统计数据线至，在2019年第一季度，三星OLED屏幕占据了全球85.7%的市场份额，可以说几乎垄断了全球OLED屏幕面板的供应，但一旦遭遇到了“真空蒸镀机”、金属掩膜板FMM( Fine Metal Mask )、FMM金属材料的断供，那么三星全球霸主的地位就真的危险了，不仅仅会在芯片代工领域将会被台积电所取代，同时三星OLED屏幕所保持的垄断地位，也将会被京东方等国产厂商所打破。

据日本媒体报道，日本政府将于7月1日宣布限制三种日产半导体材料的对韩出口，此举是日方对韩国“强征劳工”案的反制措施之一。三种材料分别是用于电视和智能手机面板上使用的氟聚酰亚胺、半导体制作过程中的核心材料光刻胶和高纯度半导体用氟化氢。

日本占全球氟聚酰亚胺和光刻胶总产量的90%，全球半导体企业70%的氟化氢需从日本进口。日本对韩国实施出口管制后，韩国半导体企业和面板企业三星和LG等公司将受到冲击。另一方面，国产光刻胶有望迎来机会。

相关公司方面，据选股宝主题库（xuangubao.cn）光刻机板块显示，

晶瑞股份：参股公司苏州瑞红是国内光刻胶龙头之一；公司是国内最早规模化生产光刻胶的企业之一，在国内率先实现目前集成电路芯片制造领域大量使用的核心光刻胶的量产

南大光电：参股公司北京科华开发的248nm光刻胶目前已通过包括中芯国际在内的部分客户的认证

强力新材：公司从事半导体KrF光刻胶用光酸、光酸中间体以及聚合物用单体的生产及销售，光酸中间体已商业化量产，光酸及单体已向主要KrF光刻胶企业认证，销售。

更多公司见光刻机板块显示，

*风险提示：股市有风险，入市需谨慎

硅：作为现在最广泛应用的半导体材料,它的优点是多方面的.

1）硅的地球储量很大,所以原料成本低廉.

2）硅的提纯工艺历经60年的发展,已经达到目前人类的最高水平.

3）Si/SiO2 的界面可以通过氧化获得,非常完美.通过后退火工艺可以获得极其完美的界面.

4）关于硅的掺杂和扩散工艺,研究得十分广泛,前期经验很多.

不足：硅本身的电子和空穴迁移速度在未来很难满足更高性能半导体器件的需求.氧化硅由于介电常数较低,当器件微小化以后,将面临介电材料击穿的困境,寻找替代介电材料是当务之急.硅属于间接带隙半导体,光发射效率不高.

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锗：作为最早被研究的半导体材料,带给我们两个诺贝尔奖,第一个transistor和第一个IC.锗的优点是：

1）空穴迁移率最大,是硅的四倍；电子迁移率是硅的两倍.

2）禁带宽度比较小,有利于发展低电压器件.

3）施主/受主的激活温度远低于硅,有利于节省热预算.

4）小的波尔激子半径,有助于提高它的场发射特性.

5）小的禁带宽度,有助于组合介电材料,降低漏电流.

缺点也比较明显：锗属于较为活泼的材料,它和介电材料的界面容易发生氧化还原反应,生成GeO,产生较多缺陷,进而影响材料的性能；锗由于储量较少,所以直接使用锗作衬底是不合适的,因此必须通过GeOI（绝缘体上锗）技术,来发展未来器件.该技术存在一定难度,但是通过借鉴研究硅材料获得的经验,相信会在不久的将来克服.

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