中科院半导体研究所每年招生人数

中科院半导体研究所每年招生人数63人。

中国科学院半导体研究所于1960年成立，是中国国务院直属事业单位，是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。[1]

研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。[2]

据2016年9月研究所官网显示，研究所拥有14个科研机构，与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发（转移）中心、9个联合实验室；拥有3个博士后流动站，3个一级学科博士培养点，包括5个二级学科博士培养点；拥有5个二级学科硕士培养点，3个专业学位硕士培养点；共有职工690余名，在学研究生近600名。[2]2019年，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC-DFB）结构，成功实现了2μm波段高性能单模激光器，综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。

中科院半导体所近几年报录比80.52%。

全国中科院半导体报考人数为9486人。录取人数7638，因此中科院半导体所近几年报录比80.52%。

中国科学院半导体研究所于1960年成立，是中国国务院直属事业单位，是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术。

半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾，因病医治无效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89岁。

梁骏吾，1933年9月18日出生，湖北武汉人。1955年毕业于武汉大学，1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位，1960年获技术科学副博士学位。1997年当选为中国工程院院士。曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。

梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家，在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。上世纪80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。

梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴，他曾在采访中说，希望通过自己的科研经历，带给年轻科研人员一些启发，让他们看到这份事业可以有所作为，让他们觉得自己同样能够作出成绩。

每年召开的“中国电子材料行业半导体材料分会年会”上，梁骏吾是不可或缺的重量级嘉宾，他的学术报告往往成为行业技术发展的重要参考和指南。

作为从事硅材料研究的元老级专家，梁骏吾被认为是中国半导体材料领域内一位“真正的大侠”，其威望自然举足轻重。

---