半导体工艺中的“自隔离”技术是什么意思

譬如在一块Si片上，同时制作两个n-MOSFET，由于MOSFET本身结构的特点，毋需专门的隔离，那么这两个n-MOSFET就具有“自隔离”性能。即是说，各个晶体管的电流在各自的沟道内流通，互相并不相干。

半导体器件中iso区是浅沟道隔离。能实现高密度的隔离，深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。在器件制作之前进行，热预算小，STI技术工艺步骤类似LOCOS，依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶，光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。进行场区注入，再用CVD淀积SiO2填充沟槽，用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层，使硅片表面平整化。工艺复杂，要回刻或者CMP。

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