工作原理
闸长已可小于25纳米,未来预期可以进一步缩小至9纳米,约是人类头发宽度的1万分之1。由于在这种导体技术上的突破,未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于传统标准的晶体管-场效应晶体管 (Field-Effect TransistorFET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中,控制电流通过的闸门,只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开,属于平面的架构。在FinFET的架构中,闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构,可于电路的两侧控制电路的接通与断开。 这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage),也可以大幅缩短晶体管的闸长。
FinFET称为鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor;FinFET),是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思,FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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