| （1）①锗最外层有4个电子，所以其最高价为+4，锗的最高价氧化物为GeO 2 ，与HCl（aq）发生复分解反应，生成的氯化物应为GeCl 4 和H 2 O，反应方程式为：GeO 2 +4HCl═GeCl 4 +2H 2 O． 故答案为：GeO 2 +4HCl═GeCl 4 +2H 2 O． ②GeCl 4 水解反应：GeCl 4 +4H 2 O
Ge（OH） 4 +4HCl（正反应吸热），生成原锗酸H 4 GeO 4 与HCl，原锗酸H 4 GeO 4 失水变为锗酸H 2 GeO 3 ，反应方程式为GeCl 4 +4H 2 O═H 4 GeO 4 +4HCl、H 4 GeO 4 ═H 2 GeO 3 +H 2 O（或GeCl 4 +3H 2 O═H 2 GeO 3 +4HCl ） 故答案为：GeCl 4 +4H 2 O═H 4 GeO 4 +4HCl、H 4 GeO 4 ═H 2 GeO 3 +H 2 O（或GeCl 4 +3H 2 O═H 2 GeO 3 +4HCl ）． ③GeCl 4 水解反应：GeCl 4 +4H 2 O
Ge（OH） 4 +4HCl（正反应吸热），生成原锗酸H 4 GeO 4 与HCl，加热平衡向右移动，HCl逸出，且水分不断蒸发，原锗酸H 4 GeO 4 失水变为锗酸H 2 GeO 3 ，H 4 GeO 4 失水变为锗酸H 2 GeO 3 ，锗酸受热分解为GeO 2 ． 锗酸受热分解为GeO 2 与水，反应方程式为H 2 GeO 3
故答案为：H 2 GeO 3
④GeO 2 与H 2 发生氧化还原反应，H 2 夺去GeO 2 中的O生成H 2 O，Ge被还原出来．反应方程式为GeO 2 +2H 2
故答案为：GeO 2 +2H 2
（2）前三步的主要作用是分离、提纯和富集锗的氧化物． 第②步中产生的盐酸可以循环到第①步中使用，①③④中产生的水也可以循环到第②步使用． 故答案为：前三步的主要作用是分离、提纯和富集锗的氧化物． 第②步中产生的盐酸可以循环到第①步中使用，①③④中产生的水也可以循环到第②步使用． |
1.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。
2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
3.第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
扩展资料
Si和化合物半导体是两种互补的材料，化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点，而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势，且两者在应用领域都有一定的局限性，因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容，取各自的优点，从而生产出符合更高要求的产品，如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。
但是第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导d、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。
参考资料百度百科——半导体材料
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