现在的半导体用硅片一般厚度是多少?

对集成电路来说：一般来说4寸晶圆的厚度为0.520mm,6寸晶圆的厚度为

0.670mm左右。晶圆必须要减薄，否则对划片刀的损耗很大，而且要划两刀。我们做DIP封装，4寸晶圆要减薄到0.300mm；6寸晶圆要减薄到0.320mm左右，误差0.020mm。

硅片就是是制作集成电路的重要材料，可以通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。由于硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，对太阳能电池这样注定要进入大规模市场（mass market）的产品而言，储量的优势也是硅成为光伏主要材料的原因之一。

为了制造半导体元件和集成电路（IC）。必须先制造出纯净的硅片，然后用各种工艺（光刻蚀、掺杂等等）在硅片上做出导电的半导体电路。

在同样大小的硅片上，就能做出来数量更多的电路，即能实现更高的集成度。同时，由于电路之间距离小了，导线的长度短了，所需的工作电压更低，能降低功耗，提高运行速度。

扩展资料：

对于以硅片为基底的光伏电池来说，晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果，截口损失主要和切割线直径有关，是切割过程本身所产生的原料损失。提升机台产量。

让硅片变得更薄同样可以减少硅原料消耗。在过去的十多年中，硅片厚度将变成 100μm. 减少硅片厚度带来的效益是惊人的，从330μm 到 130μm，光伏电池制造商最多可以降低总体硅原料消耗量多达60%。

参考资料来源：百度百科-硅片

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