请教各位，基板工艺中SAP和MSAP有什么区别

基板工艺中SAP和MSAP的区别如下：

1、定义不同

基板工艺SAP：半加成法，采用IC生产方法。

基板工艺MSAP：改良型半加成工艺，采用IC生产方法。

2、种子铜层的厚度不同

基板工艺SAP：SAP工艺从一层薄化学镀铜涂层（小于1.5mm）开始。

基板工艺MSAP：mSAP工艺从一层薄的层压铜箔（大于1.5mm）开始。

3、板材需求不同

基板工艺SAP：必须使用ABF板材。

基板工艺MSAP：对板材要求与传统CCL工艺相同。

4、黑孔应用不同

基板工艺SAP：可使用黑孔加工。

基板工艺MSAP：只能使用沉厚铜完成。

电脑副板:又被称为线路板或部件板，是在总面积较小的PCB上安装一部分电子元件，组成具备多种作用的卡.储存部件.cPu部件及其含有其他电子器件的基材。再相据射频连接器（连接器电缆线或刚挠板等）完成与电脑主板的安装与互连。那样促使常见故障电子器件的检修及电子设备的升级越来越更加简单。

而电脑主板:又称之为母板。是在总面积比较大的PcB上组装各种各样数字功放微波感应器电子元件，并可与副板以及它元器件可完成数据共享的电子器件基材。通讯业一般称其为侧板。

载板:安装各种数字功放.微波感应器电子元器件.射频连接器.模块.线路板以及它各种各样的电子元件的pcb电路板。如封运载板.类载板.各种各样一般PCB及装配工艺板。

类载板（SubstrateLike-PCB，通称SLP〉:通俗的讲是相近载板规格型号的PcB，它原是HD板，但其规格型号已贴近rc封装用载板的级别了。类载板仍是PCB硬板的一种，仅仅在制造上更贴近半导体材料规格型号，现阶段类载板规定的图形界限/线距为≤30ul m/30 u m，没法选用减成法生产制造，必须应用msAP(半加成法〉制造技术性，其将代替以前的HDIPCB技术性。将要封装基材和载板作用集于一身的基材原材料。但制作加工工艺.原料和方案设计〈一片或是双片）都还没结论。

当下，DDR5内存还远未到要主流普及的程度。不过，DRAM内存芯片的头部厂商们已经着手DDR6研制了。

日前在韩国水原举办的一场研讨会上，三星测试与系统封装副总裁Younggwan Ko表示，为适配半导体存储产品的性能的增长，封装技术必须不断进步。

会上，他明确，在DDR6内存芯片的开发中，三星将使用MSAP，也就是改良型半加成工艺(Modified semi-additive process)。

资料显示，MSAP起初应用于IC载板高精密线路制作，技法是首先在附有超薄底铜的基板上贴合干膜使用正片进行图形转移，再通过图形电镀加成形成线路，最后去除干膜和底铜完成高精密布线，以实现提升PCB的高频高速性能。

和当前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要镀层。

Ko指出，DDR6的存储容量和处理速度将大幅增加，需要更多的堆叠层数，对封装技术来说既是机遇也是挑战。

另外，Ko也坦言，友商已经先于自己在DDR5颗粒上使用MSAP技术了。

事实上，虽然出货上仍旧是DRAM龙头老大，但三星在技术开发上的确出现落后，抛开上文的MSAP，1a DRAM芯片量产进度也不及SK海力士和美光。

值得一提的是，根据早先爆料，DDR6内存的频率预计在12~17GHz，问世起码还要5年时间。

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