002面摇摆曲线是测的表面嘛

002面摇摆曲线是测的表面嘛随着第三代半导体GaN的发展,利用GaN基大功率LED作为一种新型的固体光源的应用越来越广泛, GaN基LED具有功率高，能源消耗少，寿命长,体积小,保护环境等一系列的优点,成为人们开发研究的热点。目前应用最广泛的外延GaN材料的衬底是成本较低的蓝宝石衬底,但是由于蓝宝石衬底和GaN之间存在较大的晶格失配和热膨胀系数失配,生长的GaN外延层质量存在很高的位错密度。GaN与蓝宝石衬底的折射率和空气的折射率存在差距, GaN材料的折射率高于蓝宝石衬底和空气的折射率，导致GaN有源区发出的光在蓝宝石和空气之间经过多次折射被材料吸收,降低了光的提取效率。

基于上述原因,为了降低外延GaN材料的位错密度和提高光提取效率, 人们研究了蓝宝石图形化衬底。图形衬底技术是在蓝宝石衬底上作出细微的图形结构,然后生长外延GaN。图形化结构改变了GaN的生长过程, 能够抑制缺陷向外延表面延伸 ,降低了外延的缺陷密度；同时特殊的图形结构能改变有源区发出光的传播路线 ,增加出光机会 ,提高了光提取效率。目前图形衬底的制备分为干法刻蚀和湿法腐蚀 ,广泛应用的图形衬底大都是干法刻蚀制备的 ,干法刻蚀的成本比较高,容易损伤衬底。而湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底技术由于成本低，工艺简单，生产效率高，能有效的避免损伤问题, 成为近期研究的热点。但是在研究的热点中 ,湿法腐蚀蓝宝石的基础研究工作相对较少 。

之前有人利用湿法腐蚀蓝宝石 ,研究了湿法腐蚀蓝宝石的图形形貌、腐蚀速率与腐蚀液温度的关系 。制备出的图形化衬底通过外延GaN后 , 研究了不同的腐蚀液温度与晶体质量、发光强度的关系 。湿法制备蓝宝石图形衬底,腐蚀后图形排列整齐,且方向一致。随着腐蚀液温度的增加,腐蚀速率逐渐增加。GaN外延后,经高分辨 X射线（002）面摇摆曲线测量, (002)的半峰宽随腐蚀液温度的增加而增加 。 PL谱测试结果表明, PL发光光强也随之逐渐增加。通过管芯制备,测试 10 ×23 mil2 管芯器件结果 ,光强随之增加。

因此湿制程设备在蓝宝石上的应用也已经得到证实，而华林科纳在蓝宝石行业领域也有过众多合作，具备丰富的经验和实力。

原文：

B. Process Development Tool

Lithography modeling has also proven to be an invaluable tool for the development of new lithographic processes or equipment. Some of the more common uses include the optimization of dye

loadings in photoresist [23,24], simulation of substrate reflectivity [25,26], the applicability and optimization of top and bottom antireflection coatings [27,28], and simulation of the effect of bandwidth on swing curve amplitude [29,30]. In addition, simulation has been used to help understand the use of thick resists for thin film head manufacture [31] as well as other non-semiconductor applications. Modeling is used extensively by makers of photoresist to evaluate new formulations [32,33] and to determine adequate

measures of photoresist performance for quality control purposes [34]. Resist users often employ modeling as an aid for new resist evaluations. On the exposure tool side, modeling has become an indispensable part of the optimization of the numerical aperture and partial coherence of a stepper [35-37] and in the understanding of the print bias between dense and isolated lines [38]. The use of optical proximity correction software requires rules on how to perform the corrections, which are often generated with the help of lithography simulation [39].

As a development tool, lithography simulation excels due to its speed and cost-effectiveness. Process development usually involves running numerous experiments to determine optimum process conditions, shake out possible problems, determine sensitivity to variables, and write specification limits on

the inputs and outputs of the process. These activities tend to be both time consuming and costly. Modeling offers a way to supplement laboratory experiments with simulation experiments to speed up this process and

reduce costs. Considering that a single experimental run in a wafer fabrication facility can take from hours to days, the speed advantage of simulation is considerable. This allows a greater number of simulations than would be practical (or even possible) in the fab.

翻译：

B.工艺过程开发工具

Lithography塑造也被证明是为新的平版印刷的过程或设备的发展的一个无价的工具。 某些更加共同的用途包括染料的优化 在光致抗蚀剂[23,24的]基体反射性[25,26的] loadings，模仿，上面和底部抗反射膜[27,28的]带宽的作用的适用性和优化和模仿对摇摆曲线高度[29,30]。 另外，模仿被用于帮助了解使用浓厚为薄膜头制造[31]抵抗并且其他非半导体应用。 塑造由光致抗蚀剂制造商广泛地用于评估新的公式化[32,33]和确定充分 光致抗蚀剂表现measures质量管理的打算[34]。 抵抗用户经常使用塑造作为新的援助抵抗评估。 在曝光工具边，塑造成为了数值口径和部分相干性的优化的一个不可缺少的部分步进[35-37]和在对在密集和被隔绝的线[38之间的]印刷品偏心的理解。 使用光学接近度更正软件要求关于怎样的规则执行更正，在石版印刷模仿[39帮助下]经常引起。

As开发工具，石版印刷模仿擅长由于它的速度和成本效益。 工艺过程开发通常介入跑许多实验确定最宜的处理情况，震动可能的问题，确定敏感性到可变物和写规格限制

the过程的输入和输出。 这些活动倾向于是费时和昂贵的。 塑造提供一个方式用仿真实验补充实验室实验加速这个过程和

reduce费用。 考虑在薄酥饼制造设施的实验性奔跑可能从几小时采取到几天，模仿的速度好处是可观的。 这比实用(甚至可能的)允许模仿的一个更加了不起的数字在很好。

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