半导体工作原理

半导体工作原理,第1张

.1 半导体物理基础 本章从半导体器件的工作机理出发,简单介绍半导体物理基础知识,包括本征半导体,杂质半导体,PN结分别讨论晶体二极管的特性和典型应用电路,双极型晶体管和场效应管的结构,工作机理,特性和应用电路,重点是掌握器件的特性. 媒质导体:对电信号有良好的导通性,如绝大多数金属,电解液,以及电离气体.绝缘体:对电信号起阻断作用,如玻璃和橡胶,其电阻率介于108 ~ 1020 ·m. 半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间,如硅 (Si) ,锗 (Ge) 和砷化镓 (GaAs) .半导体的导电能力随温度,光照和掺杂等因素发生显著变化,这些特点使它们成为制作半导体元器件的重要材料.4.1.1 本征半导体 纯净的硅和锗单晶体称为本征半导体.硅和锗的原子最外层轨道上都有四个电子,称为价电子,每个价电子带一个单位的负电荷.因为整个原子呈电中性,而其物理化学性质很大程度上取决于最外层的价电子,所以研究中硅和锗原子可以用简化模型代表 .每个原子最外层轨道上的四个价电子为相邻原子核所共有,形成共价键.共价键中的价电子是不能导电的束缚电子. 价电子可以获得足够大的能量,挣脱共价键的束缚,游离出去,成为自由电子,并在共价键处留下带有一个单位的正电荷的空穴.这个过程称为本征激发.本征激发产生成对的自由电子和空穴,所以本征半导体中自由电子和空穴的数量相等.价电子的反向递补运动等价为空穴在半导体中自由移动.因此,在本征激发的作用下,本征半导体中出现了带负电的自由电子和带正电的空穴,二者都可以参与导电,统称为载流子. 自由电子和空穴在自由移动过程中相遇时,自由电子填入空穴,释放出能量,从而消失一对载流子,这个过程称为复合, 平衡状态时,载流子的浓度不再变化.分别用ni和pi表示自由电子和空穴的浓度 (cm-3) ,理论上 其中 T 为绝对温度 (K) EG0 为T = 0 K时的禁带宽度,硅原子为1.21 eV,锗为0.78 eVk = 8.63 10- 5 eV / K为玻尔兹曼常数A0为常数,硅材料为3.87 1016 cm- 3 K- 3 / 2,锗为1.76 1016 cm- 3 K- 3 / 2. 4.1.2 N 型半导体和 P 型半导体 本征激发产生的自由电子和空穴的数量相对很少,这说明本征半导体的导电能力很弱.我们可以人工少量掺杂某些元素的原子,从而显著提高半导体的导电能力,这样获得的半导体称为杂质半导体.根据掺杂元素的不同,杂质半导体分为 N 型半导体和 P 型半导体. 一,N 型半导体在本征半导体中掺入五价原子,即构成 N 型半导体.N 型半导体中每掺杂一个杂质元素的原子,就提供一个自由电子,从而大量增加了自由电子的浓度一一施主电离多数载流子一一自由电子少数载流子一一空穴但半导体仍保持电中性 热平衡时,杂质半导体中多子浓度和少子浓度的乘积恒等于本征半导体中载流子浓度 ni 的平方,所以空穴的浓度 pn为因为 ni 容易受到温度的影响发生显著变化,所以 pn 也随环境的改变明显变化. 自由电子浓度杂质浓度二,P 型半导体在本征半导体中掺入三价原子,即构成 P 型半导体.P 型半导体中每掺杂一个杂质元素的原子,就提供一个空穴,从而大量增加了空穴的浓度一一受主电离多数载流子一一空穴少数载流子一一自由电子但半导体仍保持电中性而自由电子的浓度 np 为环境温度也明显影响 np 的取值. 空穴浓度掺杂浓庹4.1.3 漂移电流和扩散电流 半导体中载流子进行定向运动,就会形成半导体中的电流.半导体电流半导体电流漂移电流:在电场的作用下,自由电子会逆着电场方向漂移,而空穴则顺着电场方向漂移,这样产生的电流称为漂移电流,该电流的大小主要取决于载流子的浓度,迁移率和电场强度.扩散电流:半导体中载流子浓度不均匀分布时,载流子会从高浓度区向低浓度区扩散,从而形成扩散电流,该电流的大小正比于载流子的浓度差即浓度梯度的大小.4.2 PN 结 通过掺杂工艺,把本征半导体的一边做成 P 型半导体,另一边做成 N 型半导体,则 P 型半导体和 N 型半导体的交接面处会形成一个有特殊物理性质的薄层,称为 PN 结. 4.2.1 PN 结的形成 多子扩散空间电荷区,内建电场和内建电位差的产生 少子漂移动态平衡空间电荷区又称为耗尽区或势垒区.在掺杂浓度不对称的 PN 结中,耗尽区在重掺杂一边延伸较小,而在轻掺杂一边延伸较大.4.2.2 PN 结的单向导电特性 一,正向偏置的 PN 结正向偏置耗尽区变窄扩散运动加强,漂移运动减弱正向电流二,反向偏置的 PN 结反向偏置耗尽区变宽扩散运动减弱,漂移运动加强反向电流PN 结的单向导电特性:PN 结只需要较小的正向电压,就可以使耗尽区变得很薄,从而产生较大的正向电流,而且正向电流随正向电压的微小变化会发生明显改变.而在反偏时,少子只能提供很小的漂移电流,并且基本上不随反向电压而变化.4.2.3 PN 结的击穿特性 当 PN 结上的反向电压足够大时,其中的反向电流会急剧增大,这种现象称为 PN 结的击穿. 雪崩击穿:反偏的 PN 结中,耗尽区中少子在漂移运动中被电场作功,动能增大.当少子的动能足以使其在与价电子碰撞时发生碰撞电离,把价电子击出共价键,产生一对自由电子和空穴,连锁碰撞使得耗尽区内的载流子数量剧增,引起反向电流急剧增大.雪崩击穿出现在轻掺杂的 PN 结中.齐纳击穿:在重掺杂的 PN 结中,耗尽区较窄,所以反向电压在其中产生较强的电场.电场强到能直接将价电子拉出共价键,发生场致激发,产生大量的自由电子和空穴,使得反向电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿.PN 结击穿时,只要限制反向电流不要过大,就可以保护 PN 结不受损坏.PN 结击穿4.2.4 PN 结的电容特性 PN 结能够存贮电荷,而且电荷的变化与外加电压的变化有关,这说明 PN 结具有电容效应. 一,势垒电容 CT0为 u = 0 时的 CT,与 PN 结的结构和掺杂浓度等因素有关UB为内建电位差n 为变容指数,取值一般在 1 / 3 ~ 6 之间.当反向电压 u 绝对值增大时,CT 将减小. 二,扩散电容 PN 结的结电容为势垒电容和扩散电容之和,即 Cj = CT + CD.CT 和 CD 都随外加电压的变化而改变,所以都是非线性电容.当 PN 结正偏时,CD 远大于 CT ,即 Cj CD 反偏的 PN 结中,CT 远大于 CD,则 Cj CT .4.3 晶体二极管 二极管可以分为硅二极管和锗二极管,简称为硅管和锗管. 4.3.1 二极管的伏安特性一一 指数特性IS 为反向饱和电流,q 为电子电量 (1.60 10- 19C) UT = kT/q,称为热电压,在室温 27℃ 即 300 K 时,UT = 26 mV. 一,二极管的导通,截止和击穿当 uD >0 且超过特定值 UD(on) 时,iD 变得明显,此时认为二极管导通,UD(on) 称为导通电压 (死区电压) uD 0.7 V时,D处于导通状态,等效成短路,所以输出电压uo = ui - 0.7当ui 0时,D1和D2上加的是正向电压,处于导通状态,而D3和D4上加的是反向电压,处于截止状态.输出电压uo的正极与ui的正极通过D1相连,它们的负极通过D2相连,所以uo = ui当ui 0时,二极管D1截止,D2导通,电路等效为图 (b) 所示的反相比例放大器,uo = - (R2 / R1)ui当ui 0时,uo1 = - ui,uo = ui当ui 2.7 V时,D导通,所以uo = 2.7 V当ui <2.7 V时,D截止,其支路等效为开路,uo = ui.于是可以根据ui的波形得到uo的波形,如图 (c) 所示,该电路把ui超出2.7 V的部分削去后进行输出,是上限幅电路. [例4.3.7]二极管限幅电路如图 (a) 所示,其中二极管D1和D2的导通电压UD(on) = 0.3 V,交流电阻rD 0.输入电压ui的波形在图 (b) 中给出,作出输出电压uo的波形. 解:D1处于导通与截止之间的临界状态时,其支路两端电压为 - E - UD(on) = - 2.3 V.当ui - 2.3 V时,D1截止,支路等效为开路,uo = ui.所以D1实现了下限幅D2处于临界状态时,其支路两端电压为 E + UD(on) = 2.3 V.当ui >2.3 V时,D2导通,uo = 2.3 V当ui <2.3 V时,D2截止,支路等效为开路,uo = ui.所以D2实现了上限幅.综合uo的波形如图 (c) 所示,该电路把ui超出 2.3 V的部分削去后进行输出,完成双向限幅. 限幅电路的基本用途是控制输入电压不超过允许范围,以保护后级电路的安全工作.设二极管的导通电压UD(on) = 0.7 V,在图中,当 - 0.7 V <ui 0.7 V时,D1导通,D2截止,R1,D1和R2构成回路,对ui分压,集成运放输入端的电压被限制在UD(on) = 0.7 V当ui <- 0.7 V时,D1截止,D2导通, R1,D2和R2构成回路,对ui分压,集成运放输入端的电压被限制在 - UD(on) = - 0.7 V.该电路把ui限幅到 0.7 V到 - 0.7 V之间,保护集成运放.图中,当 - 0.7 V <ui 5.7 V时,D1导通,D2截止,A / D的输入电压被限制在5.7 V当ui <- 0.7 V时,D1截止,D2导通,A / D的输入电压被限制在 - 0.7 V.该电路对ui的限幅范围是 - 0.7 V到 5.7 V.[例4.3.8]稳压二极管限幅电路如图 (a) 所示,其中稳压二极管DZ1和DZ2的稳定电压UZ = 5 V,导通电压UD(on) 近似为零.输入电压ui的波形在图 (b) 中给出,作出输出电压uo的波形. 解:当 | ui | 1 V时,DZ1和DZ2一个导通,另一个击穿,此时反馈电流主要流过稳压二极管支路,uo稳定在 5 V.由此得到图 (c) 所示的uo波形. 图示电路为单运放弛张振荡器.其中集成运放用作反相迟滞比较器,输出电源电压UCC或 - UEE,R3隔离输出的电源电压与稳压二极管DZ1和DZ2限幅后的电压.仍然认为DZ1和DZ2的稳定电压为UZ,而导通电压UD(on) 近似为零.经过限幅,输出电压uo可以是高电压UOH = UZ或低电压UOL = - UZ.三,电平选择电路 [例4.3.9]图 (a) 给出了一个二极管电平选择电路,其中二极管D1和D2为理想二极管,输入信号ui1和ui2的幅度均小于电源电压E,波形如图 (b) 所示.分析电路的工作原理,并作出输出信号uo的波形. 解:因为ui1和ui2均小于E,所以D1和D2至少有一个处于导通状态.不妨假设ui1 ui2时,D2导通,D1截止,uo = ui2只有当ui1 = ui2时,D1和D2才同时导通,uo = ui1 = ui2.uo的波形如图 (b) 所示.该电路完成低电平选择功能,当高,低电平分别代表逻辑1和逻辑0时,就实现了逻辑"与"运算. 四,峰值检波电路 [例4.3.10]分析图示峰值检波电路的工作原理. 解:电路中集成运放A2起电压跟随器作用.当ui >uo时,uo1 >0,二极管D导通,uo1对电容C充电,此时集成运放A1也成为跟随器,uo = uC ui,即uo随着ui增大当ui <uo时,uo1 <0,D截止,C不放电,uo = uC保持不变,此时A1是电压比较器.波形如图 (b) 所示.电路中场效应管V用作复位开关,当复位信号uG到来时直接对C放电,重新进行峰值检波. 4.4 双极型晶体管 NPN型晶体管 PNP型晶体管 晶体管的物理结构有如下特点:发射区相对基区重掺杂基区很薄,只有零点几到数微米集电结面积大于发射结面积. 一,发射区向基区注入电子_ 电子注入电流IEN,空穴注入电流IEP_二,基区中自由电子边扩散边复合_ 基区复合电流IBN_三,集电区收集自由电子_ 收集电流ICN反向饱和电流ICBO4.4.1 晶体管的工作原理晶体管三个极电流与内部载流子电流的关系: 共发射极直流电流放大倍数:共基极直流电流放大倍数:换算关系:晶体管的放大能力参数 晶体管的极电流关系 描述:描述: 4.4.2 晶体管的伏安特性 一,输出特性 放大区(发射结正偏,集电结反偏 )共发射极交流电流放大倍数:共基极交流电流放大倍数:近似关系:恒流输出和基调效应饱和区(发射结正偏,集电结正偏 )_ 饱和压降 uCE(sat) _截止区(发射结反偏,集电结反偏 )_极电流绝对值很小二,输入特性 当uBE大于导通电压 UBE(on) 时,晶体管导通,即处于放大状态或饱和状态.这两种状态下uBE近似等于UBE(on) ,所以也可以认为UBE(on) 是导通的晶体管输入端固定的管压降当uBE 0,所以集电结反偏,假设成立,UO = UC = 4 V当UI = 5 V时,计算得到UCB = - 3.28 V <0,所以晶体管处于饱和状态,UO = UCE(sat) . [例4.4.2]晶体管直流偏置电路如图所示,已知晶体管的UBE(on) = - 0.7 V, = 50.判断晶体管的工作状态,并计算IB,IC和UCE. 解:图中晶体管是PNP型,UBE(on) = UB - UE = (UCC - IBRB) - IERE = UCC - IBRB - (1+b)IBRE = - 0.7 V,得到IB = - 37.4 A <0,所以晶体管处于放大或饱和状态.IC = bIB = - 1.87 mA,UCB = UC - UB = (UCC - ICRC) - (UCC - IBRB) = - 3.74 V | UGS(off) | ) uGS和iD为平方率关系.预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱.可变电阻区(| uGS | | UGS(off) |且| uDG | | UGS(off) |)iD = 0三,转移特性预夹断4.5.2 绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管记为MOSFET,根据结构上是否存在原始导电沟道,MOSFET又分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET. 一,工作原理 UGS = 0 ID = 0UGS >UGS(th) 电场 反型层 导电沟道 ID >0UGS控制ID的大小N沟道增强型MOSFETN沟道耗尽型MOSFET在UGS = 0时就存在ID = ID0.UGS的增大将增大ID.当UGS - UGS(off) ,所以该场效应管工作在恒流区.图 (b) 中是P沟道增强型MOSFET,UGS = - 5 (V) - UGS(th) ,所以该场效应管工作在可变电阻区. 解:图 (a) 中是N沟道JFET,UGS = 0 >UGS(off) ,所以该场效应管工作在恒流区或可变电阻区,且ID一,方波,锯齿波发生器 4.5.5 场效应管应用电路举例 集成运放A1构成弛张振荡器,A2构成反相积分器.振荡器输出的方波uo1经过二极管D和电阻R5限幅后,得到uo2,控制JFET开关V的状态.当uo1为低电平时,V打开,电源电压E通过R6对电容C2充电,输出电压uo随时间线性上升当uo1为高电平时,V闭合,C2通过V放电,uo瞬间减小到零. 二,取样保持电路 A1和A2都构成跟随器,起传递电压,隔离电流的作用.取样脉冲uS控制JFET开关V的状态.当取样脉冲到来时,V闭合.此时,如果uo1 >uC则电容C被充电,uC很快上升如果uo1 <uC则C放电,uC迅速下降,这使得uC = uo1,而uo1 = ui,uo = uC ,所以uo = ui.当取样脉冲过去时,V打开,uC不变,则uo保持取样脉冲最后瞬间的ui值. 三,相敏检波电路 因此前级放大器称为符号电路.场效管截止场效管导通集成运放A2构成低通滤波器,取出uo1的直流分量,即时间平均值uo.uG和ui同频时,uo取决于uG和ui的相位差,所以该电路称为相敏检波电路. NPN晶体管结型场效应管JEFT增强型NMOSEFT指数关系平方律关系场效应管和晶体管的主要区别包括:晶体管处于放大状态或饱和状态时,存在一定的基极电流,输入电阻较小.场效应管中,JFET的输入端PN结反偏,MOSFET则用SiO2绝缘体隔离了栅极和导电沟道,所以场效应管的栅极电流很小,输入电阻极大.晶体管中自由电子和空穴同时参与导电,主要导电依靠基区中非平衡少子的扩散运动,所以导电能力容易受外界因素如温度的影响.场效应管只依靠自由电子和空穴之一在导电沟道中作漂移运动实现导电,导电能力不易受环境的干扰.场效应管的源极和漏极结构对称,可以互换使用.晶体管虽然发射区和集电区是同型的杂质半导体,但由于制作工艺不同,二者不能互换使用.

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近期,硅片尺寸之争再起,硅片龙头隆基股份推出 M6 大硅片产品,并同时发布大硅片组件 Hi-MO4,清楚 表明了力推 M6 的意愿。那么 历史 上硅片尺寸经历过怎样的变化过程?隆基为何要力推 M6?与另一尺寸路线 158.75 方单晶相比,M6 有何优势,二者谁将胜出?M6 之后,是否会有更大尺寸的硅片产品推出?本报告试图 解答这些问题。

光伏硅片尺寸源自半导体,经历了从 125 到 156,从 M0 到 M2 这一不断增大的过程。 光伏硅片尺寸标准源 自半导体硅片,在摊薄成本和提高品质这两大需求的推动下,半导体硅片尺寸不断增大,光伏硅片也随之经历 了从小到大的过程。近年来,光伏硅片尺寸经历了 3 次较大的变革:1)1981 至 2012之间,硅片边距由 100 和 125 大幅度增大为156,成本大幅摊薄2)2013 至 2017年,硅片规格从 M0(边距 156,直径 200)变革为 M1 (边距 156.75,直径 205)与 M2(边距 156.75,直径 210),组件尺寸不变,硅片尺寸增大,从而摊薄成本3) 目前正在进行中的变革是硅片规格从 M2 变革为 158.75 方单晶或者M6大硅片,这次变革增厚了产业链各环节 利润空间,并将硅片尺寸推至当前设备允许的极限。

增大硅片尺寸的驱动力是提高溢价、摊薄成本、拓展利润空间,在这些方面上 M6 比 158.75 方单晶更有优 势。 在电站建设中,使用大硅片高功率组件可以减少支架、汇流箱、电缆等成本,从而摊薄单瓦系统成本,为 组件带来溢价在组件售价端,158.75 方单晶可溢价 2 分钱,M6 可溢价 8 分钱。在制造成本端,大硅片本身可 以摊薄硅片、电池、组件生产环节的非硅成本,从而直接增厚各环节利润在硅片、电池、组件总成本方面: 158.75 方单晶可降低 2 分钱,M6 可降低 5 分钱。因而,总的来看,158.75 方单晶的超额利润为 4 分钱,M6 超 额利润为 13 分钱,M6 的空间更大。在目前的价格水平下,158.75 方单晶所获超额利润基本留在了硅片环节, 而 M6 大部分超额利润流向了组件环节。推广 M6 硅片的原动力在于增厚产业链各环节利润。在定价方面,我 们认为 M6 定价紧跟 M2 即可始终保持竞争优势,使得各环节的摊薄成本内化为本环节的利润,从而使各环节 毛利率均有提高。

M6已达部分设备允许尺寸的极限,短时间内硅片尺寸标准难以再提高。 增大硅片尺寸的限制在于现有设 备的兼容性。通过梳理拉棒切片、电池、组件三个环节用到的主要生产设备,我们发现现有主流设备可以兼容M6硅片,但这一规格已基本达到现有设备允许的尺寸上限,继续增大硅片尺寸则需重新购置部分设备,使得增 大尺寸带来的成本下降被新购设备带来的成本上升所抵消。因而短时间内硅片尺寸标准难以再提高,M6 将在相 当长的一段时间内成为标准上限。

硅片形状分类:方形和准方形

从形状来看,硅片可以分为方形硅片和准方形硅片两大类。方型硅片并非完全正方,而是在四角处也有小 倒角存在,倒角长度 B一般为 2 mm 左右。准方形硅片四角处为圆倒角,尺寸一般比方型硅片的倒角大很多, 在外观上比较明显。

硅片的关键尺寸:边距

对方形硅片来说,因为倒角长度变化不大,所以描述其尺寸的关键在于边距 A。 对准方形硅片来说,由于其制作过程为圆棒切方然后切片,倒角为自然形成,因而其关键尺寸是边距 A 与直径 D。

尺寸标准:源自半导体硅片

光伏硅片与半导体硅片技术本身极为相似,半导体产业规模化发展早于光伏,因而早期光伏硅片尺寸标准 主要源自半导体硅片行业。

半导体硅片尺寸经历了从小到大的过程。60 年代出现了 0.75 英寸的单晶硅片1965 年左右开始出现少量 的 1.5 英寸硅片1975 年左右出现 4 英寸硅片1980 年左右出现 6 寸片1990 年左右出现 8 寸片2000 年左 右出现 12 寸片预计 2020 年左右 18 寸片将开始投入使用。

半导体硅片尺寸不断增大的根本驱动力有两条:1)摊薄成本2)提高品质。硅片尺寸越大,在制成的每 块晶圆上就能切出更多芯片,从而明显摊薄了单位成本。同时随着尺寸的增大,边缘片占比将减少,更多芯片 来自于非边缘区,从而产品质量得到提高。

近年来光伏硅片尺寸经历了3 次变革

光伏硅片尺寸标准的权威是 SEMI(国际半导体产业协会)。跟踪其标准发布 历史 ,可以发现近年来光伏硅片尺寸经历了 3 次主要的变革:

1) 由 100 和 125 大幅度增大为 156此阶段为 1981 至 2012 之间。以 2000 年修改版后的标准 SEMI M6-1000 为例,类原片有 100/125/150 三个尺寸,对应的边距均值分别为 100/125/150 mm,直径分别为 125/150/175 mm,即严格按照半导体硅片尺寸来给定。2012 年,原 SEMI M6 标准被废止,新的 SEMI PV22 标准开始生效,边距 156 被加入到最新标准中

2) 由 156(M0)小幅调整至 156.75(M2)在标准方面,通过修订,新增的 M2 标准尺寸被纳入 SEMI 标 准范围内,获得了业界的认可

3)由 156.75(M2)小幅调整至 158.75 或者大幅增大为 166。此次变革尚在进行中。

第一次尺寸变革:125 到 156

2012 年前,光伏硅片尺寸更多地沿用半导体 6 寸片的规格,但由于电池生产设备的进步和产出量提升的需求,125 mm 硅片逐步被市场淘汰了,产品大多集中到156 mm 上。

从面积上来看,从 125 mm 硅片过渡到 156 mm,使硅片面积增大 50%以上,大大提高了单个组件产品功率,提高了资源开发与利用效率。

相比边距,当时直径的规格较多。边距 125 对应直径 164 mm 为主流,边距 156 对应直径 200 为主流(M0)。

第二次尺寸变革:M0 到 M1 再到 M2

第二次尺寸变革主要是指从 M0(边距 156 mm,直径 200 mm)变革为 M1(边距 156.75 mm,直径 205 mm) 与 M2(边距 156.75 mm,直径 210 mm)。这一变革在组件尺寸不变的情况下增大了硅片面积,从而提高了组件 封装效率。硅片面积的提升主要来自两个方面:1)边距增大使硅片面积增大,主要得益于设备精度不断提高, 可以增大硅片边距、减小组件排版时电池间的冗余留白2)圆角尺寸减小使硅片面积增大,主要得益于拉棒成 本的不断降低,可使用更大直径的硅棒以减小圆角尺寸。

这一变革由中国硅片企业推动,并在 2017 年得到 SEMI 审核通过,成为行业统一的尺寸。2013 年底,隆基、 中环、晶龙、阳光能源、卡姆丹克 5 家企业联合发布 M1 与 M2 硅片标准,在不改变组件尺寸的前提下,M2 通 过提升硅片面积使组件功率提升一档,因而迅速成为行业主流尺寸。

设备无需更改,1 年时间完成切换。此次尺寸改动较小,设备无需做大更改即可生产 M2 硅片,因而切换时 间较短。以隆基为例,在其 2015 年出货产品中,M1 硅片占比 80%,M2 占比仅为 20%2016 年 M2 占比已达 98%2017 年已完全不再生产 M0 与 M1 硅片。

第三次尺寸变革:从 M2 到 M6

M2 尺寸标准并未持续很长时间。由于市场对高功率组件的需求高涨,而已建成的电池产线通过提高效率来 提升功率相对较难,相比之下通过增大电池面积来满足更高的组件功率需求成为了部分厂商的应对之策,使得 硅片尺寸出现了 157.0、157.3、157.5、157.75、158.0 等多样化规格,给产业链的组织管理带来极大的不便。

在此情况下,业内再次考虑尺寸标准化问题,并出现了两种标准化方案:1)158.75 全方片。这一方案在不 改变现有主流组件尺寸的情况下将硅片边距增加到极限 158.75 mm,同时使用方形硅片,以减小倒角处的留白, 从而使得硅片面积增加 3%,对应 60 型组件功率提升约 10W2)166 大硅片(M6)。这一方案是当前主流生产 设备所允许的极限尺寸,统一到这一尺寸后业内企业难以再通过微调尺寸来提升功率,从而使得此方案的持久 性潜力更大。与 M2 硅片相比,其面积增益为 12%,对应 60 型组件功率提升约 40W。

使用大硅片的驱动力有以下两点:

1)在电站建设中,使用大硅片高功率组件可以减少支架、汇流箱、电缆等成本,从而摊薄单瓦系统成本, 为组件带来溢价

2)在制造端,大硅片本身可以摊薄硅片、电池、组件生产环节的非硅成本,从而直接增厚各环节利润

组件售价:158.75 可溢价 2 分钱,M6 可溢价 8 分钱

电站的系统成本由组件成本和非组件成本构成,其中非组件成本可以分为两大类:1)与组件个数相关的成 本,主要包括支架、汇流箱、电缆、桩基和支架安装成本等2)与组件个数无关的成本,主要包括逆变器和变 压器等电气设备、并网接入成本、管理费用等,这部分一般与电站容量相关。在电站容量一定的情况下,组件 个数取决于单个组件功率,因而组件个数相关成本也可叫组件功率相关成本。

对于尺寸、重量相近的光伏组件,在其设计允许范围内,支架、汇流箱、电缆等设备与材料的选型可不做 更改。因而对于单个组串,使用 M2、158.75 全方片和 M6 三种组件的成本相同,由此平摊至单瓦则其组件个数 相关的成本被摊薄,158.75 全方片比 M2 便宜 2 分钱,M6 比 M2 便宜 8 分钱。因此在组件售价端,158.75 全方 片的组件最多可比 M2 的组件溢价 2 分钱,M6 的组件最多可比 M2 的组件溢价 8 分钱。在前期推广阶段,组件 厂可能将此部分溢价让利给下游电站,以推动下游客户偏好转向 M6 硅片。

组件成本:158.75 可摊薄 2 分钱,M6 可摊薄 5 分钱

在总成本方面,158.75 方单晶比 M2 低 2 分钱,M6 比 M2 低 5 分钱。这一成本降低是制造端产业链推广 M6 源动力,也是推广 M6 为产业链增厚的利润空间。拆分到各环节来看: 1)硅片单瓦成本方面,158.75 方单晶硅片比 M2 硅片低 0.1 分钱,M6 硅片比 M2 硅片低 1.6 分钱2)电池成本方面,158.75 方单晶比 M2 低 0.3 分钱,M6 比 M2 低 0.9 分钱3)组件成本方面,158.75 方单晶比 M2 低 1.5 分钱,M6 比 M2 低 2.3 分钱。

硅片成本测算

硅片成本可拆分为硅成本、非硅成本、三费。其中:

1)硅成本与方棒面积成正比,即 M6 比 M2 贵 12%(0.122 元/片),158.75 比 M2 贵 3%(0.031 元/片)

2)非硅成本中,在拉棒成本方面,圆棒直径变粗使得拉棒速度降低幅度小于圆棒面积增大幅度,最终 M6 比 M2 便宜 6.7%(2.38 元/kg)158.75 方单晶切方剩余率较低,最终使其比 M2 贵 1.5%(0.53 元/kg)。切片成 本大致与方棒面积成正比,最终使得 M6 非硅成本比 M2 贵 7.2%(0.066 元/片),158.75 比 M2 贵 3.8%(0.036 元/片)

3)三费均以0.40元/片计。

综合来看,在单片成本方面,M6 比 M2 贵 8.1%(0.188 元/片),158.75 比 M2 贵2.9%(0.066 元/片)平摊到单瓦成本,M6 比M2便宜 0.016 元/W,158.75 与 M2 基本持平。

非硅成本由拉棒成本和切片成本两部分组成。在单位重量拉棒成本方面,直径越大则单位重量长晶速度越快,因而M6 比 M2 便宜方单晶切方剩余率低,因而 158.75 方单晶比 M2 贵。

电池成本测算

置成本、非硅成本、三费。其中: 1)硅片购置成本与硅片定价策略有关,这里以 2019-6-20 价格为例,M2/158.75 方单晶/M6 三种硅片含税价格分别为 3.07/3.47/3.47元/片,摊薄到单瓦后,M6 与 M2 相近,158.75 比 M2 贵 0.049 元/W2)非硅成本方面,M6 比 M2 降 0.009 元/W,158.75 比 M2 便宜 0.002 元/W3)三费均假设为 0.10 元/W。

综合来看,电池环节的附加成本变化不大。

具体来看,在非硅成本中,银浆、铝浆、TMA 等的用量与电池面积相关,最终单瓦成本不变折旧、人工 等与容量产能相关的成本会被摊薄。

组件成本测算

组件成本可拆分为电池购置成本、非硅成本、三费。其中:

1)电池购置成本与电池定价策略有关,目前 M2/158.75 方单晶两种电池含税价格为 1.20/1.24 元/W,M6 电池尚无公开报价,考虑到目前 M6 与 M2 硅片单瓦定价相同,且电池成本变化不大,因而假设定价与 M2 相同

2)非硅成本方面,M6 比 M2 便宜 0.024 元/W,158.75 比 M2 便宜 0.015 元/W

3)三费均假设为 0.20 元/W。

综合来看,电池环节的附加成本降低幅度大于电池环节,但依然变化不大。

具体来看,在非硅成本中,EVA、背板、光伏玻璃等主要组成部分随本来就以面积计价,但 M6 与 158.75 产品提高了面积利用率,成本会有小幅摊薄同时产线的产能节拍不变,但容量产能增加。从而接线盒、折旧、 人工等成本会被摊薄。

各环节利润分配:158.75 超额利润在硅片,M6 超额利润在电池和组件

158.75 超额利润 4 分钱,M6 超额利润 13 分钱,M6 利润空间比 158.75 方单晶大约高 4 个百分点。在组件 售价端,158.75 可溢价 2 分钱,M6 可溢价 8 分钱在成本端,158.75 可降低 2 分钱,M6 可降低 5 分钱,因而 158.75 超额利润为 4 分钱,M6 超额利润为 13 分钱。在所有环节均自产的情况下,158.75 可提高净利率 1.7 个 百分点,M6 可提高净利率 5.2 个百分点。

在利润分配方面,在目前的价格水平下,158.75 方单晶所获超额利润基本留在了硅片环节。M6 电池和组件 尚无公开报价,按照假设电池售价 1.20 元/W、组件售价 2.28 元/W 来计算,超额利润在硅片/电池/组件环节的 分配大致为 0.02/0.01/0.10 元/W,大部分超额利润流向了组件环节。

推广 M6 硅片的原动力在于增厚产业链各环节利润。由于目前硅片尺寸的另一选择是158.75,所以推广 M6 需要在产业链各环节利润空间上同时大于 M2 和 158.75 方单晶。

静态情景:M6 组件定价与 M2 相同,让利下游电站,推动渗透率提升

最直接的推广方式是将 M6 组件价格设定为与 M2 相同,从而将电站端的系统成本摊薄让利给下游电站, 快速提升下游电站对 M6 组件的认可度。

目前 M2 组件价格为 2.20 元/W,若 M6 组件价格同样定为 2.20 元/W,则相应的 M6 电池价格需要下调为 1.20 元/W,与 M2 电池价格相同,以保证组件环节 M6 净利率大于 M2硅片价格可以维持 3.47 元/片不变,此 时电池净利率可保持在 18.3%,依旧高于 M2 电池的净利率 17.8%。在此情境下,M6 各环节净利率均超过 M2, 有利于 M6 推广。

与 158.75 方单晶相比,此时 M6 各环节超额利润为 5 分钱,而 158.75 方单晶超额利润为 4 分钱,M6 更有 优势。具体到各环节来看,M6 硅片环节净利率稍低,但电池和组件环节净利率高,更有利于全产业链共同发展。

动态情景:M6 定价紧跟 M2 即可始终保持竞争优势

在组件价格方面,M6 与 M2 定价保持一致,即可使 M6 组件保持在下游电站选型中的竞争优势。

在电池价格方面,M6 与 M2 定价保持一致,则可使组件环节的成本摊薄沉淀为组件环节的利润,使得对下 游组件厂来说生产 M6 组件时的毛利率始终高于 M2,因而 M6 组件更有吸引力。

在硅片价格方面,保持 M6 与 M2 单位面积的价格相同,则可使电池环节的成本摊薄沉淀为电池环节的利润,使得对电池厂来说生产M6 电池时的毛利率始终高于 M2,因而 M6 电池更有吸引力。

对硅片环节来说,保持 M6 与 M2 单位面积的价格相同则 M6 净利率比 M2 高 4 个点,硅片环节亦有推广动 力。这也为后续继续降价让利给电池、组件、电站留出了更多空间。

增大硅片尺寸的限制在于现有设备的兼容性。通过梳理拉棒切片、电池、组件三个环节用到的主要生产设 备,我们发现现有主流设备可以兼容 M6 硅片,但这一规格已基本达到现有设备允许的尺寸上限,继续增大硅 片尺寸则需重新购置部分设备,使得增大尺寸带来的成本下降被新购设备带来的成本上升所抵消。

拉棒与切片环节:单晶炉等关键设备裕度大,部分设备接近尺寸上限

在拉棒与切片环节,生产工艺主要分为拉棒、切方、切片三步,分别用到了单晶炉、截断机与开方机、切 片机等 4 种设备。总的来看,对于 M6 硅片来说,单晶炉与开方机尺寸尚有较大余量,截断机已接近部分厂家 设备尺寸的上限。

单晶炉:热屏尺寸尚有较大余量。当前主流单晶厂家热屏内径均留有较大余量。M2 硅片外径为 210 mm, 对应的圆棒直径为 214 mm 左右M6 硅片外径为 223 mm,对应的圆棒直径为 228 mm。当前主流单晶炉热屏内 径在 270 mm 左右,拉制直径 228 mm 硅棒完全可行,且无须重大改造。

截断机:M6 尺寸在目前设备加工规格范围内,但已接近设备加工规格上限。切断机用于将硅棒切成小段, 其加工规格较难调整。以连城数控官网提供的多线切断机主要参数来看,其适用的单晶硅棒直径为 155-230 mm。 而 M6 硅片对应的圆棒直径是 228 mm,在该设备加工规格范围内,已接近设备加工规格上限。

开方机:加工尺寸裕度较大。开方机用于将圆棒切成方棒。以高测股份单棒四线开方机为例,其切割棒料 直径为 200-300 mm,开方尺寸为 157-210 mm。M6 硅片对应的方棒直径为 223 mm,开方尺寸为 166 mm,现有 设备裕度较大。

电池环节:扩散炉内径最关键,目前可满足要求

目前主流 PERC 电池的生产工艺分为清洗制绒、扩散、刻蚀、镀膜、激光刻划、印刷栅线、烧结等工序,涉 及的关键设备有扩散炉、PECVD、激光刻槽机、丝网印刷机、烧结炉等。其中扩散炉、PECVD、烧结炉等管式加 热或真空设备尺寸难以调整,因而是硅片加大尺寸的瓶颈环节。若硅片尺寸超出现有设备极限,则只能购置新 设备,成本较高。目前常见的管式设备内径最小 290 mm。

扩散炉:圆棒直径需小于扩散炉炉管直径。在扩散工序中,一般使用石英舟承载硅片,然后将石英舟放置 于扩散炉炉管中。在扩散炉中,硅片轴线方向一般与扩散炉轴线方向平行,因而硅片尺寸需在扩散炉炉管截面 之内,即硅棒的圆棒直径需小于扩散炉炉管直径,且需要留有一定的 *** 作空间。将硅片边距由 156.75 mm 提高 到 166 mm 的同时,硅片外径将由 210 mm 增大到 223 mm,对于内径 290 mm 的扩散炉来说尚可行。在石英舟 方面,其尺寸经过合理设计一般可以满足M6 硅片进出炉体的要求。

PECVD:硅片边距需小于 PECVD 炉管内径。PECVD 与扩散炉的情况有以下两点不同:1)在 PECVD 中,使 用石墨舟装载硅片2)硅片轴线与 PECVD 炉管轴线垂直放置,因而只需硅片边距小于 PECVD 炉管内径即可。 为了提高 PECVD 产能,炉管内径一般较大,以叠放更多硅片。将硅片边距由 156.75 mm 提高到 166 mm 对于内 径 450 mm 的 PECVD 来说无障碍。

丝网印刷机:M6 硅片可兼容。丝网印刷机的传输系统、旋转平台、刮刀头、视觉系统均与硅片尺寸相关。

以科隆威为例,其官网挂出的唯一一款全自动视觉印刷机PV-SP910D 可兼容 M6 硅片。

组件环节:排版串焊与层压设备均近极限

组件环节主要分为排版串焊、叠层、层压、装框、装接线盒、固化清洗、测试包装等工序,主要需要用到 排版机、串焊机、层压机等设备。

排版串焊:可兼容,问题不大。排版串焊机的关键尺寸是组件长和宽,若组件尺寸在设备允许范围内,则 只需更改设置即可适用于大硅片组件若超出设备允许的最大组件尺寸,则很难通过小技改来兼容。以金辰的 高速电池串自动敷设机为例,其适用玻璃组件范围为长 1580-2200 mm、宽 800-1100 mm。预计使用 M6 硅片的 72 型组件长 2120 mm、宽 1052 mm,在排版串焊设备允许范围内。

层压:层压机尺寸已达极限。层压机的层压面积较大,一般一次可以处理多个组件。以金辰 JCCY2336-T 层 压机为例,其层压面积为 2300 mm×3600 mm。在使用 M2 硅片时,该层压机一次可处理 4 块 60 型组件,或 3 块 72 型组件。在使用 M6 硅片时,该层压机同样可以一次处理 4 块 60 型组件或 3 块 72 型组件。对于 60 型组 件来说,处理 M2 硅片组件时,该层压机长度方向的余量为 240 mm,较为宽裕但处理M6 硅片组件时,由于 单片电池尺寸增大 9.25 mm,60 型组件长度将加长 92.5mm,层压机长度方向的余量仅剩 55 mm,较为紧张。

辅材尺寸易调整。组件辅材主要包括光伏玻璃、EVA、背板、接线盒等。其中光伏玻璃、EVA、背板目前幅 宽可生产 166 及更大尺寸材料,仅需调整切割尺寸即可。接线盒不涉及尺寸问题,仅需考虑组件功率提高后接 线盒内部线缆材料可能需要使用更高等级材料。

……

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