半导体材料的厚度与吸收光谱的关系

半导体材料的厚度与吸收光谱的关系。半导体导带和价带之间存在能隙（energy gap），当入射光的能量等于能隙时，入射光将会被材料大量吸收，因此会在能隙位置出现吸收峰，这是半导体材料吸收光谱的特征峰位置。

半导体二次配管道之间的间距取决于所使用的半导体材料的类型和尺寸。一般情况下，半导体二次配管道之间的间距应该大于或等于所使用的半导体材料的厚度。例如，如果使用的半导体材料厚度为0.5毫米，那么半导体二次配管道之间的间距应该大于或等于0.5毫米。

霍尔系数的单位是米的三次方每库仑。——立方米/库仑(m3/C)霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应。霍尔效应是一种磁敏效应，一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。

UH称为霍尔电势，其大小可表示为：UH=RH/d*IC*B（1）式中，RH称为霍尔系数，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度。设RH/d=K,则式（1）可写为：UH=K*IC*B(2)可见，霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比，K称为乘积灵敏度。

K值越大，灵敏度就越高；元件厚度越小，输出电压也越大。在式（2）中，若控制电流IC,为常数，磁感应强度B与被测电流成正比，就可以做成霍尔电流传感器；另外，若仍固定IC为常数，B与被测电压成正比，又可制成霍尔电压传感器。

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