由于掺杂浓度大,耗尽层单位面积内正负离子多,所以只需要相对较窄的耗尽层就能建立起足够强的内电场来阻止多子的扩散运动。
可理解为加上正向电压,正向电压会与内部接触电场相抵消,这也是正向导通的的原理,所以浓度高,建立起的耗尽层宽度也就窄了。
具体说明:电场强度=掺杂浓度*宽度(e=nd*w),电势差等于=电场强度*宽度,所以电势差等于掺杂浓度*宽度的平方,产生的电势差一样时,高掺杂的掺杂浓度大,所以耗尽层宽度窄。
扩展资料
半导体应用策略
半导体制冷技术已经广泛应用在医药领域中,工业领域中,即便是日常生活中也得以应用,所以,该技术是有非常要的发展前景的。
例如,将导体制冷技术用于现代的各种制冷设备中,诸如冰箱、空调等等,都可以配置电子冷却器。半导体冰箱就是使用了半导体制冷技术。在具体的应用中,可以根据不同客户的需要使用,以更好地满足客户的要求。
不同数量的半导体制冷芯片,在连接的过程中可以根据需要采用并联的方式或串联的方式,放置在合适的位置就可以发挥作用。二十世纪50年代,前苏联开发了一种小型模型冰箱,只有10升的容量,冰箱的体积非常小,使用便利。
参考资料
百度百科--半导体
在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结,空间电荷区的电荷密度很大,宽度很窄,只要加很小的反向电压就能够建立起很强的电场,发生齐纳击穿。
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从PN结的形成原理可以看出,要想让PN结导通形成电流,必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然,给它加一个反方向的更大的电场,即P区接外加电源的正极,N区结负极,就可以抵消其内部自建电场,使载流子可以继续运动,从而形成线性的正向电流。
而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大,PN结不能导通,仅有极微弱的反向电流(由少数载流子的漂移运动形成,因少子数量有限,电流饱和)。
当反向电压增大至某一数值时,因少子的数量和能量都增大,会碰撞破坏内部的共价键,使原来被束缚的电子和空穴被释放出来,不断增大电流,最终PN结将被击穿(变为导体)损坏,反向电流急剧增大。
参考资料来源:百度百科-PN结
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