半导体器件中iso区是什么

半导体器件中iso区是浅沟道隔离。能实现高密度的隔离，深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。在器件制作之前进行，热预算小，STI技术工艺步骤类似LOCOS，依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶，光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。进行场区注入，再用CVD淀积SiO2填充沟槽，用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层，使硅片表面平整化。工艺复杂，要回刻或者CMP。

二极管是有一个P型半导体和一个N型半导体结合在一起形成的,中间会形成一个PN节,隔离正是由于PN节的作用.

PN节处由于电子的漂移本身形成了一个内电场,当外加电压产生的电场与内电场的方向相同时电流便能通过,否则就会被内电场抵消而被隔离.过大则会将PN节击穿,是不容许的.

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