半导体的光刻层一般有多少

5nm工艺将euv光罩提升到14—15层。

5纳米将使用第五代FinFET电晶体技术，EUV极紫外光刻技术也提升到10多个光刻层，整体电晶体密度提升84%。

换句话说，以7纳米是每平方公厘9，627万个电晶体计算，则5纳米就将是每平方公里有1.771亿个电晶体。

光刻机刻制芯片，根据芯片的设计需求，可以刻制少到几层，多到几十层甚至上百层。通常情况下，28nm的IC最多可使用50层光罩，14nm/10nm的IC使用60层光罩，7nm有80层光罩，5nm则达到100层光罩。台积电在7nm芯片上中的12层使用EUV，68层都使用DUV。在5nm节点，台积电将EUV 用于其中22层，其余78 层则是DUV。

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