半导体光刻工艺之去胶

经过刻蚀或者离子注入之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，因此可以将光刻胶从硅片的表面除去，这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中，去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶，在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶，主要是使光刻胶溶于有机溶剂中，从而达到去胶的目的。有机溶剂去胶中使用的溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂。无机熔液去胶的原理是利用光刻胶本身也是有机物的特点（主要由碳和氢等元素构成的化合物），通过使用一些无机溶剂（如硫酸和双氧水等），将光刻胶中的碳元素氧化称为二氧化碳，这样就可以把光刻胶 从硅片的表面除去。不过，由于无机熔液会腐蚀AL，因此去除AL上的光刻胶必须使用有机溶剂。 干法去胶则是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例，硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成的气态的CO，CO2和H2O可以由真空系统抽走，相对于湿法去胶，干法去胶的效果更好，但是由于干法去胶存在反应残留物的玷污问题，因此干法去胶与湿法去胶经常搭配使用。

半导体的生产是有重污染的。首先，半导体工厂中会有大量的酸性气体(这些气体来自蚀刻和清洗晶圆等)。其次，由于光刻胶溶液、显影液等用量较大。用在半导体制造过程中，这些溶液主要是有机物质，所以在蚀刻，清洗、薄膜生长等过程中。将使用大量的有机溶剂，包括二甲苯、丙酮、苯、四氯化碳、四氯化碳、二氯化碳F2等。其中，苯是一种剧毒的一级致癌物。为了防止这些污染伤害员工和污染环境，半导体工厂需要采取极其严格的污染预防措施，包括工作场所空气的实时处理、生产废物的妥善处理等。可以说，如果污染治理的任何一个环节出现问题，都有可能对员工身体造成很大的伤害，也有可能对周围环境造成很大的污染。

半导体产业属于重污染企业。

首先是半导体工厂内会有大量的酸性气体（这些气体来自于晶圆的蚀刻、清洗等过程）。其次，由于半导体制造的过程中会需要大量使用光阻液、显影液等，这些溶液主要是有机物质，因此在蚀刻、清洗、薄膜生长等过程中，会有大量的有机溶剂被使用，其中就包括二甲苯、丙酮、苯等，其中苯是高毒性的一级致癌物。

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