硅片都做那几个方面的检测？？

你好！

检测硅片尺寸

检测单晶硅片的破损程度，并进行分级：

破损小于30mm，能够切成6英寸Wafer；

破为两片，无法使用；

没有破损；

硅片尺寸156*156mm；

检测速度要求：1.5秒/片；

动作流程：硅片运动到检测位置后，相机快速拍照，然后进行处理，在这个过程中设备不停；

硅片运动速度：约150mm/s；

打字不易，采纳哦！

设备：视觉检测设备。

正确的 *** 作方法：

1.将硅片放置在视觉检测设备的工件夹具中，并按照视觉检测设备的要求对工件进行定位。

2.视觉检测设备自动进行拍照，并自动对拍照的照片进行分析，分析出硅片的外观特征，如表面平整度、尺寸精度、棱角等。

3.根据视觉检测设备检测出的结果，判断硅片的外观质量，是否达到要求。

为什么：视觉检测设备可以自动对硅片进行图像拍摄，并且具有准确的测量功能，可以精确的测量硅片的尺寸、棱角、表面质量等，并能够迅速、准确的得出外观检测结果，为硅片的外观检测提供了准确、高效的检测方法。

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思.

RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液：

（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O.用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除.

（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成.因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物.用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀.

（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透.由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的.在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜.

（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污.在室温下HPM就能除去Fe和Zn.

清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化.

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