求大神解两道半导体物理的计算题！

锗中掺锑，锑是五族元素，在锗中是施主杂质，锗的禁带宽度小于硅，由此断定室温下杂质全电离，因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n，电子浓度已经知道，就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q，计算电导率，求倒数就是电阻率。

少子的平均漂移速度就是指在电场作用下载流子单位时间移动的距离，这里漂移速度V=1cm/10^(-4)s=10^4cm/s，迁移率μ=V/E，然后根据爱因斯坦关系，扩散系数D=μkT/q，即可求出扩散系数。

其实半导体物理的计算多为套公式，只要熟悉每个名词背后的概念，将各个概念的关系能够联系起来做计算题就没什么问题了。

（1）由于本征下ni=1.5*10^10判定为重掺杂,掺杂大小知，整体属于P型半导体。

(2) 考查费米能级与掺杂深度关系

(3)(4)考查费米能级的关系

详细解法上图。不过你这个ni=1.5*10^10是比较少见。

这老师是不是你们数学老师啊，搞得算术那么复杂，本来一直ni=10^10cm-3还要弄成1.5倍。估计是防抄的吧，虽然难算了点，还是算出来了，你再演算一次，大体解法是对了。

1.5*10^10少第二行少写了，最后一行应是6*10^15其它的没什么错了