为了满足量产上的需求,半导体的电性必须是可预测并且稳定的,因此包括掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的品质都必须严格要求。常见的品质问题包括晶格的位错(dislocation)、孪晶面(twins)或是堆垛层错(stacking fault)都会影响半导体材料的特性。对于一个半导体器件而言,材料晶格的缺陷(晶体缺陷)通常是影响元件性能的主因。
目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见的方法称为柴可拉斯基法(钢铁场常见工法)。这种工艺将一个单晶的晶种(seed)放入溶解的同材质液体中,再以旋转的方式缓缓向上拉起。在晶种被拉起时,溶质将会沿着固体和液体的接口固化,而旋转则可让溶质的温度均匀。
单晶硅的生产工艺:1.石材加工一开始是石头(所有石头都含硅)。这块石头被加热后变成了液态。加热后变成气态,气体通过一个密封的大盒子。盒子里有N多个加热的子晶体,两端用石墨夹住。当气体通过盒子时,子晶体会将其中一种气体吸收到子晶体中,子晶体逐渐变厚。因为有些变成固体了,所以很慢,大概一个月。2.酸洗当然还有大量的废气等等。(四氯化硅)在生产过程中产生。现在看来是处理不好了。事不宜迟,等原生多晶体有了,就开始酸洗,氢氟酸,硝酸,醋酸等等。原生多晶体外的东西洗干净后,会放入烘房烘干,无尘检验,包装。3.拉晶要拉晶,拉晶就是在拉晶炉里加热熔化多晶硅。将晶体向上提拉后,工人们首先将多晶硅放入应时坩埚中。(为了降低成本,工厂还会用一些洗过的电池片和碎硅片一起熔化。)关炉加热。应时锅的熔点是1700度,硅的熔点只有1410度左右。硅熔化后,应时坩埚慢慢上升,晶体从上面下降到坩埚的中心液面。同时锅底电加热,液面冷却,晶体指向液面会出现光点。慢慢旋转,拉起,放肩,转肩,正常拉杆,完成。大约一天半后,一根单晶棒就会出来。4.切割正方形当单晶棒可用时,切割正方形。单晶棒通常为6英寸,P型,电阻率为0.5-6欧姆(一英寸约等于2.4厘米)。把棒的四边切掉,做成带倒角的正方形,切片,每片0.22毫米。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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