光电导器件、PN结光电器件和光电发射器件的禁带宽度和截止波长间的关系？

公式：λc=h拔c/Eg

h：归一化普兰克常数

c：光束

Eg：禁带宽度（eV）

λc：截止波长。

名词解释

光电导器件

半导体光电器件引是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。即利用半导体的光电效应（或热电效应）制成的器件。光电器件主要有，利用半导体光敏特性工作的光电导器件，利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。这一节中简略地向大家介绍一下这些光电器件的工作原理。半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等；半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。

《半导体器件物理与工艺》所讲的器件种类要少，而且后面还有一定篇幅讲工艺，《半导体器件物理》这本书各种半导体器件都涉及到了，当时也认真学了，感觉很开拓思路，但是施敏有些地方还是没写清楚，还好上课的时候老师差不多把施敏没讲清楚的地方都给我们提出来讲了讲。所以这本书不适合初学器件，如果你是刚接触器件课，建议看看皮埃罗的《半导体器件基础》，器件课其实器件课主要就是学PN结，金半接触，BJT，MOSFET，PN结和金半接触是所有器件的基础，后两者是电流控制器件和场控器件的典型代表。当然有些书在这三者的基础上又加上了MESFET，MODFET，JFET，这些其实都是场控器件。

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