• 求单端口网络的诺顿等效电路

    两种方法来解答。一、电源等效变换:电流源Is串联电阻R1,等效为电流源Is。下图:电流源Is并联电压源Us,等效为电压源Us。下图:电压源Us串联电阻R2,等效为:Isc=UsR2=55=1(A)电流源,并联电阻Req=R2=5Ω。如下

    11月前
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  • 台达plc出现程序行诞时

    台达plc出现程序行诞时的检测辩知方法如下:1、应检查程序是否存在错误,存在错误,立即修正错误。2、检查PLC对外部应用环境的响应,确认PLC是否能够响应数据类型,如构建输入输出表来携谨消显示PLC的状态,监测PLC的功能。晌瞎3、检查PL

    11月前
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  • 介观的介观物理学

    介观物理学是物理学中一个新的分支学科。“介观(mesoscopic)”这个词汇,由VanKampen于1981年所创,指得是介乎于微观和宏观之间的尺度。介观物理学所研究的物质尺度和纳米科技的研究尺度有很大重合,所以这一领域的研究常被称为“介

  • 求MPPT(太阳能最大功率点跟踪)扰动法算法的完整源程序,最好是基于avr编程的。

    *关于频率和占空比的确定,对于6M晶振,假定PWM输出频率为1KHZ,这样可以设定占空比可从(1-100)%变化,即0.01ms*100=1ms。周期用T1定时,输出高电平用T1定时。 * #include &ltREGX51.H&

  • 台达plc与变频器通讯的crc程序怎么写

    台达有自带的crc校验指令,不需要做幂累加来写crc校验。1、设置好16位还是8位数据 m1161的on 和off2、将字符赋值到各个寄存器中,比如从d100到d105中3、计算crc校验,放到d106中。可以这样写 ld m1000(

    12月前
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  • 请问离子色谱仪具体 *** 作步骤有哪些

    *** 作步骤 :1、打开钢瓶气源开关,分压表调到02-03(建议不关闭钢瓶气源); 2、调节减压阀到3-6Psi左右; 3、依次打开SP泵、EG淋洗液自动发生器、DC色谱单元、AS自动进样器和VWD紫外检测器的电源开关。 4、如仪器长时间不使用

    2023-5-9
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  • nlp是什么意思

    气体传感器的分类如下:一、半导气体传感器这种类型的传感器在气体传感器中约占60%,根据机理分为电导型和非电导型,电导型中又分为表面型和容积控制型。二、固体电解质气体传感器这种传感器元件为离子对固体电解质隔膜传导,称为电化学池,分为阳离子传导

    2023-4-26
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  • 半导体纳米材料的光催化特性产生的原因是什么?

    为了回答这个问题,需要先补充一些概念。在半导体中,电子分布在“能带”上。在低温、不受到任何激发的时候,电子分布在“价带”上,处于基态。而受到激发(比如光激发)后电子就会吸收能量,如果吸收的能量量子(比如说光子)的能量大于半导体的带隙(或者叫

    2023-4-26
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  • 光敏电阻的工作原理

    某些物质吸收了光子的能量后,产生本征吸收或杂质吸收,从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。利用具有光电导效应的材料可以制成电导( 或电阻) 随入射光度量变化器件,称为光电导器件或光敏电阻。光敏电阻的结构 光敏电阻的基本结构如图

    2023-4-26
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  • 半导体1麦是多少

    半导体1麦是0.0254毫米。1麦说的是1mil,mil是英制单位1mil=0.0254毫米=25.4um(微米)。 微米与常用的单位换算:1m = 10³mm,1m = 100cm,1cm = 10mm,1mm = 10³um,1um

    2023-4-26
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  • 半导体的光电效应是什么

    光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象。在高于某特定频率的电磁波照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生电。光照射到金属上,引起物质的电性质发生变化。这类光变致电的现象被人们统称为光电效应。光电效应分为光电子发射、光电导

    2023-4-26
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  • 按照紧束缚近似,为什么si,ge等半导体的禁带宽度随温度升高而降低

    Si,Ge都是金刚石结构的半导体。原子在结合成为晶体时,价键要产生所谓的杂化(S太和回P太的杂化,SP3杂化),结答果使一条原子能级并不是简单的对应关系。发现历史半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。1833年,英国科学家电子学之父法拉

    2023-4-26
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  • 怎样用MS算光学带隙

    对于半导体材料,其光学带隙和吸收系数之间的关系式为αhν=B(hν-Eg)m 其中 α 为摩尔吸收系数,h 为普朗克常数, ν 为入射光子频率, B 为比例常数, Eg为半导体材料的光学带隙, m 的值与半导体材料以及跃迁类型相关:(

  • 半导体受哪些因素影响

    半导体的光电导是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力(电导率)很小,经光照射后半导体内部产生光生载流子(电子或空穴),使其导电能力加大。光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级位置密切相关。光电

    2023-4-26
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  • 半导体的发展历史

    半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。1833年,英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首

    2023-4-26
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  • 半导体的发展史

    1、1833年,英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。2、1839年法国的贝克

  • 什么是影响半导体器件性能的一个重要因素

    从本质上来说,造成半导体器件热不稳定的重要因素主要有两个:(1)半导体禁带宽度与温度有关(一般,随着温度的升高而减小);(2)载流子浓度与温度有关,特别是少数载流子浓度与温度有很大的关系——将随着温度的升高而指数式增大。载流子浓度与温度的关

    2023-4-26
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  • 半导体的电导率在什么范围?

    半导体通常是指导电率介于导体与绝缘体之间的材料。电导率的范围是:10^(-8)→10³ (西门子/厘米)。电导率低于10^(-8)西门子/厘米)的材料称为绝缘体。电导率高于10³(西门子/厘米)的材料称为导体。所有的导体都有大量的自由电子

    2023-4-26
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  • 半导体的输出电压与输出电流的公式

    半导体PN结的电流与电压U关系式:=i(e的qUkT次方_1)。q是电子的电荷量,T是绝对温度,单位为K,k常数=1、38*(10的负23次方)K,i是反向饱和电流,U是PN结外加。电压在静态(且无光,热,辐射的影响)半导体的“等效电阻

    2023-4-26
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