改变半导体局部导电性的重要方法？

改变半导体局部导电性的重要方法主要有以下几种：

掺杂：在半导体材料中掺入不同的杂质原子，可以改变材料的导电性质。掺入五价元素（如磷、砷等）可以形成N型半导体，掺入三价元素（如硼、铝等）可以形成P型半导体。

离子注入：通过离子注入技术，在半导体表面形成高能离子轰击区域，使局部区域的导电性质发生改变。离子注入通常用于制作集成电路器件的精细控制区域。

光刻技术：利用光刻技术在半导体表面覆盖一层光刻胶，并在胶面上利用投影机将芯片上的图形投影到光刻胶上，最后在芯片表面暴露出光刻胶中未被覆盖的部分。通过这种方式，可以在芯片表面形成精细的图形结构，进而改变半导体的局部导电性。

聚焦离子束（FIB）技术：FIB技术利用高能离子束在半导体表面进行刻蚀和刻划，可以制作出微米级别的半导体器件结构。通过这种方法可以在半导体表面形成局部结构，进而改变局部区域的导电性质。

这些方法通常用于半导体器件的制造和修饰，可以在半导体表面形成精细的结构和控制区域，对于半导体器件的性能和功能的提升非常重要。

光催化氧化的四种改性方法有二氧化钛、氧化锌、氧化锡、二氧化锆、硫化镉等多种氧化物硫化物半导体。其中二氧化钛因其氧化能力强，化学性质稳定无毒，成为世界上最当红的纳米光触媒材料光催化剂的发展在早期，也曾经较多使用硫化镉和氧化锌(作为光触媒材料，但是由于这两者的化学性质不稳定，会在光催化的同时发生光溶解，溶出有害的金属离子具有一定的生物毒性，故发达国家目前已经很少将它们用作为民用光催化材料，部分工业光催化领域还在使用3光催化剂二氧化钛它是一种半导体，分别具有锐钛矿金红石及板钛矿三种晶体结构，其中只有锐钛矿结构和金红石结构具有光催化特性。

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