二极管PN结原理

二极管PN结原理：

PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。

在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。

扩展资料：

PN结应用：

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。

如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。

使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。

此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。

参考资料来源：百度百科——PN结

1:空穴与电子带相等的电荷量，并且一个带正电一个带负电。

2：平衡，不动我在3给你讲原理就知道了

3：原理：PN结是由P型半导体和N型半导体构成的，这些我不讲，书上 有 定义。我重点说下形成过程。

P区载流子包括：多子（空穴）少子（电子）

N区载流子包括：多子（电子）少子（空穴）

P区多子（空穴）浓度高于N区，所以P区空穴向N区扩散，P区空穴扩散到N区与N区的电子中和，在P区留下不可移动的负离子，同理N区也留下不可移动的正离子。N区正离子与P区负离子之间有电势差，叫做势磊。电场的方向是N区指向P区的，阻碍多子的扩散，却有利于少子的运动，少子的运动叫做漂移，飘逸与扩散都产生电流。随着扩散的进行，势磊增大，漂移增强，扩散减弱，最后飘逸电流与扩散电流相等。达到平衡，流过PN结的净电流为0，达到平衡。

4：此时空间电荷区没有载流子了，叫做耗尽层。耗尽层中没有空穴。

但是P区和N区还是有空穴的，空穴在负离子附近运动，但强调不在空间电荷区。

5补充一点，万物都在运动中的，再说参照物不同，也不同。

我觉得我的更应该被采纳，因为这些都是我个人写的认识，不像课本上的那么难懂

原理：当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

二极管的单向导电性是由PN结的特性说决定的。在P型和N型半导体的交界面附近，由于N区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由N区向电子浓度低的P区扩散，扩散的结果使PN结中靠P区一侧带负电，靠N区一侧带正电，形成由N区指向P区的电场。

扩展资料：

将PN结的P区接电源正极，N区接电源负极，此时外加电压对PN结产生的电场与PN结内电场方向相反，消弱了PN结内电场，使得多数载流子能顺利通过PN结形成正向电流，并随着外加电压的升高而迅速增大，即PN结加正向电压时处于导通状态。

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。

由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。

参考资料来源：百度百科--PN结

参考资料来源：百度百科--二极管

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