半导体硅片工艺中有一个是 RCA cleaning 是什么意思?

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思。RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液： （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 （4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。

随着我国经济的高速发展，半导体行业的发展也在迅速崛起，因此在半导体工业加工的过程中不可避免的会产生含有氟离子，铜离子，磷废水的污染物废水。

含氟离子废水处理：

将废水的p H值调整在6-7左右，再加入的过量的Ca

Cl2和适量的絮凝剂，后续会行形成沉淀，部分污泥循环成为载体，在沉淀池中通过重力沉降能够实现泥水分离。

第一次反应时能够去除80%的氟，再一次加入絮凝剂，氟化钙及其其他形态沉淀，利用污泥泵输送到污泥沉淀池,用板框式脱水机压成泥饼外运，这时候产生的压滤液进入其他的系统进一步处理。

含磷离子废水处理：

含磷废水中磷主要以PO43-为主，采用的方法为化学沉淀法和混凝剂沉降法的组合工艺，通过加入Ca

Cl2生成难溶于水的Ca5(PO4)3OH沉淀。

一级反应池的p H调整到5-6左右，二级反应池p H调整到8.5-9，三级反应池p

H调整到9-9.5(确保完全生成羟基磷酸钙)，此工艺流程比较简单，费用也比较低，对于含磷废水处理有很大的适用性。

与研磨废水进行混合：

将半导体器件制造中产生的电镀废水和研磨废水进行混合，混合废水泵入浸没式膜过滤装置过滤，过滤的水泵入纳滤膜过滤装置过滤，经过纳滤膜过滤装置过滤的水即可直接回用。

以上是小编整理的半导体工业废水的处理方法都有哪些，后期将会关于更多污水处理的相关内容。

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