• 锁存继电器的CMOS电路研究

    图1中电路会根据一个脉冲,切换一个DPDT(双刀双掷)锁存继电器的状态。它包括一个瞬动开关至步进电压信号发生器,一个差分脉冲转换器,一个继电器驱动器,以及一个继电器线圈。瞬动开关提供驱动电路的步进电压

    2022-8-14
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    2022-8-11
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    2022-8-5
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  • CMOS电路的ESD保护结构设计

    1 引言静电放电会给电子器件带来破坏性的后果,它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,CMOS电路的特征尺寸不断缩小,管子的栅氧厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,MOS管能承

    2022-8-4
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