任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。 接触金属和半导体具有不同的功函，分别记为φM和φS。 当两种材料相接触时，电子将会从低功函（高费米能级） 一

半导体物理h是表示小时。这个是定义的，有效质量等于h的平方除以d方e比上dk的平方，小时不是时间的国际单位制基本单位（时间的国际单位制基本单位是秒），而是与国际单位制基本单位相协调的辅助时间单位。费米能级等于费米子系统在趋于绝对零度时的

费米能级是温度为绝对零度时固体能带中充满电子的最高能级。常用EF表示。对于固体试样，由于真空能级与表面情况有关，易改变，所以用该能级作为参考能级。电子结合能就是指电子所在能级与费米能级的能量差。虽然严格来说，费米能级等于费米子系统在趋于绝

楼主的提问，就有点带偏别人的感觉，或者，你已经被别人带偏了。首先，半导体是一门非常专业的学科，半导体器件仿真肯定需要专业的仿真软件，而通用CAE类的软件是无法解决大多数技术细节问题的，comsol， ansys，abaqus,就是通用CAE

半导体物理h是表示小时。小时不是时间的国际单位制基本单位（时间的国际单位制基本单位是秒），而是与国际单位制基本单位相协调的辅助时间单位。大写字母H的含义：1、在化学中，表示元素氢的化学符号，或表示1个氢原子。或表示原子构成的物质。2、

n型半导体费米能级随温度变化曲线：载流子数目可以用费米-狄拉克函数描述，从该函数可以看到，载流子数目取决于费米能级位置（可通过掺杂调控）和温度。温度升高后，载流子数目升高。费米衡量电子占有能级的几率问题，在其下几率大于二分之一，其上小于二

半导体物理中Ei代表能级费米能级是温度为绝对零度时固体能带中充满电子的最高能级，常用EF表示。对于固体试样，由于真空能级与表面情况有关，易改变，所以用该能级作为参考能级。电子结合能就是指电子所在能级与费米能级的能量差。虽然严格来说，费米能

半导体费米更加活跃。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体的费米能级比金属高，是因为半导体的费米更加活跃。通常导体材料中电子的费米波长为35nm，金属材料

从能量的角度：费米能级是化学势，定义为系统增加一个电子引起自由能的变化。热平衡时由于吉布斯函数取极值，那多元系的化学势必须相同，也就是说费米能级相同。 从电子填充的角度：由于电子能级填充满足费米狄拉克分布，那么大于0K情况下填充概率为0

金属功函数：金属内部逸出到表面真空所需最小能量 半导体功函数：E0与费米能级的差 电子亲和能 使导带底的电子逸出体外所需最小能量 WSe2为P型半导体 半导体费米能级高于金属的费米能级 接触后，金属和半导体的费米能级相同

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把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV功函数(work funct

不掺杂的半导体为本征半导体,导电依靠受热激发的产生的激发电子和空穴.而掺杂可以在很大程度上提高半导体的导电性.掺杂可分为N型掺杂和P型掺杂.N型掺杂会增加N(电子)导电.P型掺杂增加空穴导电.PN结就是半导体一部分P型掺杂,一部分N

面临着一些制造上的突破。前一段时间闹得很火的事情，美国以及公司为了抑制华为公司的发展，暂停向华为提供芯片的代工服务，这让华为一下失去了芯片的来源。我国的工业发展到今天已经算是很快了。我国在半导体的设计方面已经实现了突破，有些设计和研发几

温度为绝对零度时固体能带中充满电子的最高能级。常用EF表示。对于固体试样，由于真空能级与表面情况有关，易改变，所以用该能级作为参考能级。电子结合能就是指电子所在能级与费米能级的能量差。对于金属，绝对零度下，电子占据的最高能级就是费米能级。费

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV3.为了得到肖特基结，要求P型半导体满足Wm&ltWs,所以应选择Al，作为金属构成肖特基结。4.金属一侧的势

简单的说，怎么理解费米能级，费米能级是表征电子填充能级强弱的，n型半导体电子导电，所以浓度越大，费米能级越高，p型相反。还有n型半导体掺杂就是空穴掺杂吗（没明白什么意思，n型半导体是电子导电）一般一场是2000元,16平方米大小,包括所有的

对于金属，绝对零度下，电子占据的最高能级就是费米能级。费米能级的物理意义是，该能级上的一个状态被电子占据的概率是12。在半导体物理中，费米能级是个很重要的物理参数，只要知道了它的数值，在一定温度下，电子在各量子态上的统计分布就完全确定了。

一方面，不同介质（半导体、金属之类）的禁带宽度不同，费米能级的位置也不同；另一方面即使相同的半导体由于掺杂的差异，其费米能级所处的位置也不一样。一般情况，结的形成会导致两个不同介质的费米能级处于同一水平，费米能级位置不同却最后处于同一水平，