费米能级不随掺杂而发生位置变化的效应，称为费米能级的钉扎效应（Pinning effect）。费米能级钉扎效应是半导体物理中的一个重要概念。费米能级，温度为绝对零度时固体能带中充满电子的最高能级。常用EF表示。对于固体试样，由于真空能级与

锗中掺锑，锑是五族元素，在锗中是施主杂质，锗的禁带宽度小于硅，由此断定室温下杂质全电离，因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n，电子浓度已经知道，就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q，计算电导率

半导体物理与器件是研究半导体材料的物理性质和其在电子器件中的应用的一个学科。半导体材料具有较高的电子运动率和较低的电子散射率,因此在电子器件中具有重要的应用。 常见的半导体器件包括晶体管、光电器件、集成电路、太阳能电池、显示器件等。这些器件

声子就是“晶格振动的简正模能量量子。”对此，我们可以更详细地予以解释。在固体物理学的概念中，结晶态固体中的原子或分子是按一定的规律排列在晶格上的。在晶体中，原子并非是静止的，它们总是围绕着其平衡位置在作不断的振动。另一方面，这些原子又通过其

硒化锡（tin selenide），化学式SnSe，为灰色正交晶系晶体，具半导体性。密度为6.18（g㎝,254℃），熔点为861℃，但溶于硝酸和王水中。该物质对水中有机物有剧毒和危害。在常规的制法中，加热温度要高于化合物的熔点，达到9

证明空穴与半导体反应的竞争是本征半导体中自由电子和空穴总是成对出现和消失的。空穴是当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下了一个空位，称为空穴。空穴的出现是半导体区别与导体的一个重要特征，本征半导体中的载流子只有自由电子和空穴。费

能层（英语：Energy level）理论是一种解释原子核外电子运动轨道的一种理论。它认为电子只能在特定的、分立的轨道上运动，各个轨道上的电子具有分立的能量，这些能量值即为能级。电子可以在不同的轨道间发生跃迁，电子吸收能量可以从低能级跃迁到

在一定的温度下，如果没有其他外界作用，半导体中的导电电子和空穴是依靠电子的热激发作用而产生的，电子从不断的热振动的晶格中获得能量，向具有高能量的量子态跃迁同时 还有电子向晶格中释放能量，进而向具有低能量的量子态跃迁这两个相反的过程之间将会建

金属半导体不是纳米材料。金属半导体主要材料是硅，硅在化学元素周期表上所处的位置恰好介于金属与非金属之间，具有金属和非金属的双重特性。究其本身来说它算作是非金属，但半导体材料中必须有其他金属来增加其特性。半导体电子费米波长要比金属内更长。半导

态密度图分析： 原则上讲，态密度可以作为能带结构的一个可视化结果。很多分析和能带的分析结果可以一一对应，很多术语也和能带分析相通。但是因为它更直观，因此在结果讨论中用得比能带分析更广泛一些。简要总结分析要点如下： 1）在整个能量区间

不同的半导体制冷片，性能不一样所能承受的温差也不一样。热端的最高温度也不一样。 一般在60℃以内是没问题的。  可以加大散热片，和风扇.学校里小制作的比赛要用的。一直知道这个东西发热的效率很高可以大于100%。想用来做个烧开水的东西。不知道

简并就是一个能级对应于一个能量本征值非简并就是一个能级对应于多个能量本征值参见&lt量子力学教程 曾谨言著&gtP78在量子力学中，状态和能级这两个术语有着不同的含义。状态是用波函数表示的，每个不同的波函数就是一个不同的状态

现年49岁，财务及税务资深专业人士，有23年政府部门经济管理及组织领导经验，曾任黄岩市财税局局长，浙江省财政厅党委成员，浙江省地方税务局总会计师。2002年5月，辞官下海任吉利控股集团CEO，全面负责集团日常经营及管理工作。2004年9月，

把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV功函数(work funct

在一定的温度下，如果没有其他外界作用，半导体中的导电电子和空穴是依靠电子的热激发作用而产生的，电子从不断的热振动的晶格中获得能量，向具有高能量的量子态跃迁同时 还有电子向晶格中释放能量，进而向具有低能量的量子态跃迁这两个相反的过程之间将会建

重掺杂的半导体与金属接触。常用的方法是在n型或p型半导体上制作一层重掺杂区后再与金属接触。金属半导体欧姆接触的制作总体上可以分为两种方式：离子注入与外延。所谓欧姆接触，是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组

平带电位（Flatbandvoltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。测量：电化学方法：在三电极体系下，使用

温度升高两者都会增加，我定性描述一下，定量公式楼主参见“半导体物理”教材。（这里以染料敏化太阳能电池为例，PN结电池类似，只不过要考虑空穴而已）根据费米狄拉克分布，当注入电子量一定后，温度升高的话更多的电子会布居在能态较高的缺陷态，导致费米

Fermi-Dirac分布函数或者Boltzmann分布函数是热平衡状态下的一种统计分布函数。因此Fermi-Dirac分布函数或者Boltzmann分布函数及其相应的费米能级等概念，也只能适用于热平衡状态，对于非平衡状态则否。在非平衡半导