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    关断栅极电压欠冲对SiC MOSFET导通行为的影响

    【导读】本文探讨了关断时发生的栅极电压欠冲对导通开关特性的影响。这种影响来自于阈值电压的迟滞效应，指栅偏压变化时，阈值电压的完全可恢复瞬态偏移。阈值电压的迟滞效应是由半导体-绝缘体界面缺陷中，电荷的短

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    2022-9-26
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